科学技術振興機構（JST）は、2025年度のA-STEP実装支援において、東京大学発スタートアップの株式会社Gaianixxに対する開発支援を決定した。Gaianixxは、圧電デバイスの高性能化と低コスト化を両立させる「多能性中間膜」の独自開発に取り組んでいる。従来のエピタキシャル成長では、基板と薄膜の格子サイズの差が結晶欠陥の原因となっていたが、同社の中間膜技術はこの差を解消する。今回の開発では、PZTなどの圧電材料の単結晶化に向けた量産技術の確立を目指す。この技術は、パワー半導体などの次世代デバイスにも応用可能で、エネルギー効率の向上に大きく貢献することが期待されている。

FACT BOX ・ 要点整理

  • 出典：PR TIMES
  • 分類：技術開発
  • 関連組織：JST