日本科學技術振興機構(JST)決定在2025年度的A-STEP實作支援計畫中,支持源自東京大學的新創公司 Gaianixx。Gaianixx 正在開發獨家的「多能性中間膜」,旨在實現壓電元件的高性能化與低成本化。傳統磊晶成長技術中,基板與薄膜間的晶格尺寸差異常導致晶體缺陷,而該公司的中間膜技術能解決此問題。此次開發目標是建立 PZT 等壓電材料單晶化的量產技術。該技術亦可應用於功率半導體等次世代元件,預計將對提升能源效率做出重大貢獻。
FACT BOX · 重點整理
- 來源:PR TIMES
- 分類:技術開発
- 相關組織:株式会社Gaianixx / JST
- 原文日期:2025年度