AndTech 將於7月23日舉辦關於氮化鋁基半導體用於高壓功率元件的 Zoom 研討會

AndTech 股份有限公司（總公司：神奈川縣川崎市，代表取締役社長：陶山正夫，以下簡稱 AndTech）作為其研發支援 Zoom 講座系列的一部分，將開設一門由頂尖專家主講的「氮化鋁 次世代功率半導體」課程，以應對近期日益高漲的氮化鋁次世代功率半導體問題解決需求。

本課程將解說並介紹新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性基礎，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG；同時也將介紹氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展，以及高散熱/氮化物材料的特性及其在功率元件上的應用發展。

本課程預計於 2026 年 7 月 23 日開課。

詳細資訊：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405

線上直播、網路研討會 概要 ────────────────── 主題：邁向實現次世代超高耐壓、高輸出功率元件之氮化鋁（AlN）系半導體基板、二極體、鐵電、高散熱材料的開發動向與未來展望 舉辦日期時間：2026 年 7 月 23 日（星期四）13:00-16:35 參加費用：55,000 日圓（含稅）※ 預計以電子方式提供資料 URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405 網路配信形式：Zoom（報名後將發送 URL）

研討會內容構成 ──────────── －課程與講師－ ∽∽───────────────────────∽∽ 第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用 ∽∽───────────────────────∽∽ 講師 東京理科大學 先進工學部 / 副教授 小林篤 先生 ∽∽───────────────────────∽∽ 第2部 氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展 ∽∽───────────────────────∽∽ 講師 東京大學 大學院工學系研究科 電氣系工學專攻 / 講師 前田拓也 先生 ∽∽───────────────────────∽∽ 第3部 高散熱、氮化物材料及其在功率元件上的應用展開 ∽∽───────────────────────∽∽ 講師 德山股份有限公司 新事業本部 散熱應用組 / 組長 金近幸博 先生

本研討會可學到的知識及可解決的技術課題 ─────────────────────── ・新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性等基礎知識，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG ・氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展 ・絕緣性、高熱傳導材料即氮化物填料及其應用技術

本研討會的參加形式 ───────────── 這將是使用網路會議工具「Zoom」進行的線上直播研討會。 詳細資訊將在報名後提供。

關於 AndTech 股份有限公司 ──────────── 我們為從事化學、材料、電子、汽車、能源、醫療器材、食品包裝、建材等廣泛領域研發的客戶，提供資訊與研究開發支援服務。 本公司擁有頂尖的講師陣容，提供從「技術講習會、研討會」開始，到「講師派遣」、「出版」、「顧問派遣」、「市場動向調查」、「商業媒合」、「事業開發顧問」等多樣化服務。 我們傾聽客戶的聲音，為客戶進入期望的新事業領域與市場提供有效的支援。 https://andtech.co.jp/

AndTech 技術講習會一覽 ───────────────── 我們每個月都會舉辦多場由頂尖講師主講的網路講座研討會。 https://andtech.co.jp/seminars/search

AndTech 書籍一覽 ────────────── 我們從精選的主題中，挑選出需求較高的項目來發行書籍。 https://andtech.co.jp/books

AndTech 顧問服務 ───────────────────── 我們派遣經驗豐富、專業性高的技術顧問。 https://andtech.co.jp/business-consulting

關於本件之諮詢 ───────────── AndTech 股份有限公司 公關PR負責人 青木 電子郵件地址：pr●andtech.co.jp（請將●改為@後聯繫）

以下為全部課程項目（若您對詳細內容感興趣，請務必參閱） ────────────────────────────── ∽∽───────────────────────∽∽ 第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用 【演講主旨】 近年來，在高頻通訊和功率電子領域，高電子遷移率電晶體（HEMT）等氮化物半導體元件的應用不斷進展，市場對更高輸出、更高效率運作的需求日益增加。為了在 GaN 通道中形成高密度的二維電子氣（2DEG），需要在阻障層上下功夫，但傳統的 AlGaN 由於與 GaN 的晶格不匹配而存在臨界膜厚的限制，導致 2DEG 密度有上限的問題。因此，強烈期望引入一種基於不同原理、能產生大極化的新型阻障層材料。 本講座將聚焦於新材料「ScAlN」，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG，從其結構特徵和鐵電性等基礎知識開始解說。此外，也將介紹我們迄今為止通過濺鍍法進行 ScAlN 磊晶薄膜生長技術的最新資訊，包括在廣泛組成範圍內對晶體結構和晶格常數的評估，以及在 GaN HEMT 結構上進行磊晶生長的嘗試。更進一步，也將介紹面向元件應用的雜質降低和極性控制的重要性，以及通過優化生長製程（如提高生長溫度和後退火處理）來改善電氣特性的注意事項。 【課程大綱】 1. 緒論：次世代氮化物半導體元件 2. ScAlN 的特徵：壓電性與鐵電性 3. ScAlN 的晶體結構：纖鋅礦結構的穩定性與向層狀結構相變的理論與現狀 4. 通過濺鍍法製作 ScAlN 薄膜的技術：成膜條件的優化與金屬/氮氣供應比的控制 5. 在 GaN 上的磊晶生長