(中央社記者 曾仁凱 台北11日電)ヒ化ガリウム(GaAs)エピタキシャルウェハの上流メーカーである全新光電は本日、長期的な発展戦略と運営ニーズに応えるため、工場建設用の土地を購入する計画を発表した。同社の取締役会は本日、董事長(会長)に対し、60億台湾ドルを上限として土地購入に関する一切の手続きを委任することを決議した。

全新光電の陳建良董事長は年初、NVIDIAが光通信ビジネスチャンスを引き起こし、顧客からの注文が殺到しているため、同社の生産能力は深刻な供給不足に陥っていると述べていた。今年は800Gスイッチ向け受信製品の出荷が倍増し、次世代1.6T製品も出荷を開始、送信側製品も数倍の成長を見込んでいる。

陳董事長は、AIデータセンターが光通信需要を急増させ、リン化インジウム(InP)エピタキシャルウェハの供給不足を引き起こしていると説明。さらに、最上流のInP基板も品薄状態であり、InPエピタキシャルウェハの生産能力は需要に全く追いついていない。全新光電は受注が満杯であり、拡張ペースを加速し、顧客の需要を満たすことに全力を注ぐ。

AI高速伝送に対する顧客の需要が上方修正されたことを受け、全新光電は今年、新たに3台のMOCVD(有機金属化学気相成長)装置を導入する計画だったが、最終的にさらに2台追加することを決定し、今年第4四半期の稼働を目標としている。また、同社は新たな生産拠点を計画しており、来年以降の成長に備えて土地の確保と工場建設を進めている。(編集:楊凱翔)1150611

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  • 出典:中央社 CNA
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