突破AI資料中心瓶頸 三星打造3D記憶體與儲存解決方案

（中央社記者 張建中 台北1日電）三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石（Jangseok Choi）今天提出CUBE策略，以全面的半導體能力推動3D架構發展，打造下一代3D記憶體與儲存解決方案，包含zHBM及zNAND-O，解決AI資料中心及裝置端AI不同環境下的瓶頸，大幅提升效能。

國際半導體產業協會（SEMI）今天舉辦記憶體高峰論壇，崔璋石演講「開啟智慧新維度，以3D整合技術驅動AI時代」。

他指出，三星的「CUBE」策略是聚焦容量（Capacity）、利用率（Utilization）、頻寬（Bandwidth）、效率（Efficiency）4大關鍵面向。

在容量方面，透過垂直擴展，在不增加印刷電路板面積的情況下提升容量。利用率方面，3D不是單純的堆疊而是架構的優化，透過最佳化邏輯晶片與記憶體的配置，降低延遲。

頻寬方面，縮短晶片之間的距離，以垂直的高速通道取代水平傳輸，大幅提升頻寬。效率方面，聚焦在功耗與散熱技術，將單一位元數據傳輸所需的能耗降到最低，最大化每瓦效能。

至於高頻寬記憶體（HBM）的演進，崔璋石說，三星今年5月開始出貨12層HBM4E樣品，目前已著手開發HBM5，相較HBM4E，HBM5目標是效能提高2倍，每瓦效能提升20%，熱阻降低20%。

三星並開發3D記憶體架構zHBM，將記憶體直接堆疊在處理器之上，透過大幅縮短資料傳輸的距離，實現效能與能源效率的躍進。對比HBM4E，zHBM的目標是將效能最高提升8倍、每瓦效能提升3倍，熱阻降低75%至90%，並計劃於2028年推出zNAND-O樣品。（編輯：林淑媛）1150901

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