台湾系スタートアップNEOがメモリ新技術の概念実証を完了、施振栄氏から出資獲得

（中央社記者呉家豪台北23日電）シリコンバレーの台湾系起業家、許富菖氏が設立したメモリ設計会社NEO Semiconductorは本日、次世代メモリ技術「3D X-DRAM」の概念実証（POC）を完了したと発表した。これは次世代の大容量メモリソリューションに向けた重要なマイルストーンとなる。

NEOは同時に、エイサー（Acer）グループ創業者の施振栄（スタン・シー）氏が率いる戦略的投資を獲得したことも発表した。出資金は今後の技術研究開発と製品化の推進に充てられる。

今回のテストチップは、NEOと陽明交通大学産学革新研究学院が共同で開発し、国家実験研究院台湾半導体研究センター（TSRI）で製作とテストが行われた。

NEOは本日のプレスリリースで、3D X-DRAMはメモリセルの垂直統合アーキテクチャを採用しており、従来のメモリ容量の拡張制限を打破するものだと説明した。高帯域幅メモリ（HBM）、DDRメモリ、人工知能（AI）、ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）などの分野への応用が見込まれている。

現行のHBMがDRAMチップを一層ずつ積み重ねる方式であるのに対し、NEOはその革新的な手法を「ミルクレープ」に例え、一体成形の3D構造に近く、統合効率の向上とコストの最適化に寄与すると表現した。

施振栄氏は、台湾の半導体産業の基盤と実力を活用してこの革新的な技術を商品化し、台湾のメモリ産業における設計能力の欠落を埋めることで、台湾がメモリ産業においても世界に対してより大きな影響力を持てるようになることを期待していると述べた。

許富菖氏は、従来のDRAMはキャパシタのスケーリング限界と容量需求の増大という二重の課題に直面していると指摘。3D X-DRAMはキャパシタレス構造を採用し、成熟した3D NANDプロセスを組み合わせることで、大容量かつ拡張可能な3D垂直スタックソリューションを提供する。NEOは現在、世界有数のメモリおよび半導体企業と共同開発の可能性について積極的に協議を進めている。

NEOは2012年に設立され、本社を米国カリフォルニア州サンノゼに置く。次世代メモリとAIコンピューティング技術の開発に注力しており、現在までに38件以上の米国特許を蓄積している。（編集：張良知）1150423