「2026半導體年鑑」電子材料部門榮獲總冠軍

大日本印刷股份有限公司（DNP）宣布，其去年12月發表的用於先進半導體製造的「10奈米線寬奈米壓印微影（Nano-Imprint Lithography：NIL）範本*1」，因獲得高度評價，於2026年5月21日在產業時報社主辦的「2026半導體年鑑」半導體電子材料部門中榮獲總冠軍。頒獎典禮已於6月10日舉行。

本獎項今年邁入第32屆，旨在表彰對半導體產業發展做出貢獻的傑出技術、產品及企業。此次獲獎歸功於其高精度圖案形成技術，該技術能滿足半導體微縮化的需求，並展現出應用於次世代半導體製造的潛力。

「2026半導體年鑑」頒獎典禮與演講現場

關於「2026半導體年鑑」：

本獎項表彰在2025年4月至2026年3月期間發表的優秀半導體相關產品與技術。評選對象不僅包括新產品，也涵蓋了實現現有產品性能提升或功能擴展的改良技術。候選項目將從「電子設備產業新聞」報導的產品技術、該報記者推薦項目以及企業申請項目中選定。

獎項分為「半導體設備」、「半導體製造設備」、「半導體用電子材料」三大部門，由該報記者從開發獨創性、量產性、社會影響力、未來性等角度進行嚴格投票決定。

網站→ https://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=649

關於DNP開發的10奈米線寬NIL範本：

DNP透過利用「自行對準雙重圖案化（Self-Aligned Double Patterning：SADP）」技術，將圖案密度加倍，從而實現了NIL範本的微縮化。SADP技術是將繪圖設備在遮罩基板上形成的圖案，透過成膜與蝕刻製程結合而成。藉由應用至今累積的光罩製造技術與知識，以及晶圓製程的製造技術，可對應1.4奈米世代的邏輯半導體。

此技術有助於提高先進半導體製造的曝光製程效率並降低功耗。與傳統的ArF浸潤式微影或EUV微影等曝光製程相比，本NIL技術可將功耗降低至原來的約十分之一。*2

未來展望：

DNP將透過與半導體製造商等客戶加深對話，預見半導體微縮化的需求，並推進NIL範本的評估，目標是開始量產。

未來，DNP將持續強化包括NIL範本在內的半導體相關產品與技術的開發，為支撐次世代資訊社會的半導體領域發展做出貢獻。

*1 奈米壓印微影（NIL）是一種將範本上形成的微細圖案轉印至樹脂以形成電路的技術。此範本作為轉移半導體電路圖案的模具使用。→ https://www.dnp.co.jp/news/detail/20177717_1587.html

*2 使用NIL技術實現超微細半導體的節能加工技術 → https://www.dnp.co.jp/news/detail/10162455_1587.html

※文中提及的公司名稱及產品名稱為各公司之商標或註冊商標。

※記載內容為發表當時的資訊，未來可能不經預告而變更，敬請見諒。