三菱電機、パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxleに使用される新しい「第5世代SiC-MOSFETチップ」2品種のサンプル提供を2026年6月下旬から順次開始します。本製品は、新たに開発した独自のトレンチ構造である「FSC構造」と斜め方向からのイオン注入技術を採用することで、従来のトレンチ型よりもセル密度を高め、業界トップクラスの低オン抵抗を実現しました。これにより、従来のトレンチ型と比較してオン抵抗を約25%低減し、xEV用インバーターの性能向上や小型化、航続距離の延伸や電費改善に貢献します。さらに、独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、ボディダイオード通電による性能劣化を抑制し、スイッチング動作に伴う電力損失やオン抵抗の変動を抑制。長期間の使用でも安定した品質を提供し、インバーターやeAxleの耐久性向上とxEVの性能維持に寄与します。本製品は、2026年6月9日〜11日にドイツのニュルンベルクで開催される「PCIM Expo & Conference 2026」や、日本、中国の展示会に出展される予定です。同社は今後も低電力損失で高品質なSiC-MOSFETチップの提供を通じて、GX（グリーン・トランスフォーメーション）に貢献していきます。