良率が収益を決める！グローバルメモリ3巨頭、HBM4の良率競争に本格参戦

第六世代の高帯域メモリであるHBM4は、今年後半にNVIDIAが発表予定のVera RubinなどのAIアクセラレータチップに採用され、企業業績の重要な支えとなる見込みです。現在、サムスン電子、SKハイニクス、マイクロン・テクノロジーの世界3大メモリチップメーカーは、HBM4の良率競争に全面的に乗り出しています。

サムスンはすでにHBM4の量産を規模拡大段階に移しており、業界ではその良率が約70％に達していると推定されています。これは年初に良率が80％を超えて安定した1CプロセスのDRAMが牽引しており、製造プロセスの管理能力が大きく向上した結果です。

一方、SKハイニクスは正確な数値を公表していませんが、業界ではすでに安定した生産領域に入っていると判断されています。HBM市場で過半数のシェアを維持するため、新設備の導入を検討し、プロセスの最適化と生産能力の拡大を進めています。

マイクロンは生産基盤が相対的に弱く、現在、良率の向上と大規模な設備投資を加速させ、同時に生産能力の強化を進めています。

良率は直接的に出荷量と収益余地を決定するため、各メーカーにとっての最重要課題となっています。

これまで汎用DRAMの短期利益が一時的に上回ったものの、価格上昇の余地は鈍化しています。今年第1四半期はほぼ倍増、第2四半期は30％～50％、第3四半期は0％～20％と予想されていますが、HBMの需要は拡大を続け、高粗利益率の優位性が再び主導的になると見られています。

業界関係者によると、サムスンが量産を先行導入したことで、良率向上に伴う供給増と利益増がすでに同社の第2四半期決算に明確に反映されています。この傾向は今年後半も継続すると予想され、世界のメモリ上位3社の良率競争はさらに激化するでしょう。