HBM需求暴增 瑞銀：DRAM供不應求將持續至2028年

瑞銀集團（UBS）最新發布的7月《記憶體晶片月度報告》指出，全球記憶體晶片市場剛創下歷史最佳單月表現，單月銷售額達746億美元，月增31.7%，刷新歷史紀錄。隨著人工智慧（AI）帶動高效能運算與資料中心需求快速攀升，以及長期供貨協議（LTA）持續簽訂，瑞銀認為記憶體產業景氣循環正持續升溫，全球結構性供應不足最快也要到2028年中才可能緩解。

報告指出，DRAM仍是記憶體市場最大產品類別，單月銷售額約480億美元，較前月成長27.7%；NAND Flash表現更為強勁，單月營收達258億美元，月增40.7%，同樣創下歷史新高。

NAND Flash是固態硬碟（SSD）及資料中心儲存設備的核心元件。隨著AI模型訓練與推論運算快速增加，企業對高容量、高效能儲存設備需求同步爆發，成為推升NAND市場的重要動能。

整體而言，瑞銀預估2026年全球記憶體產業營收將達9,920億美元，2027年更將大幅成長至約1.76兆美元，幾乎較前一年翻倍。

報告指出，本輪記憶體景氣最重要的成長引擎來自高頻寬記憶體（HBM）。HBM主要搭配AI加速器使用，包括輝達（NVIDIA）（NVDA-US）AI GPU等產品，目前已成為AI伺服器不可或缺的重要零組件。

瑞銀預估，2026年HBM需求將年增90%，達331億Gb；2027年需求可望再成長77%，進一步攀升至587億Gb，反映AI基礎建設仍將持續高速擴張。

在供應商方面，瑞銀認為，美光科技（Micron Technology）（MU-US）、三星電子（Samsung Electronics）及SK海力士（SK hynix）將是本輪記憶體價格上漲的最大受惠者。三家公司目前合計掌握全球絕大部分DRAM及NAND Flash供應能力，在供給吃緊下，獲利能力可望持續改善。

瑞銀指出，全球大型雲端服務業者仍將持續擴大AI資料中心投資，帶動記憶體需求維持高檔，因此記憶體市場的結構性供應不足至少將持續至2028年第二季。

價格方面，瑞銀同步上修DDR記憶體合約價格預估，預期2026年第三季將較前一季上漲32%，第四季再上漲18%；NAND Flash價格也可望同步走強，第三季預估上漲30%，第四季續漲12%。

供需結構方面，瑞銀預估2027年全球DRAM需求將年增36.2%，但供給僅增加19.3%，需求增速幾乎是供給的兩倍，因此供需缺口短期內難以改善，也是支撐價格持續上漲的重要因素。

不過，瑞銀也提醒，AI投資熱潮並非毫無風險。報告指出，目前最大的不確定因素並非供給，而是客戶對持續漲價的承受能力，以及AI相關資本支出是否能長期維持高成長。

瑞銀表示，超大型雲端服務商（Hyperscaler）未來是否持續投入AI資料中心建設，仍將是決定本輪記憶體超級景氣周期能否延續的關鍵變數。若AI資本支出放緩，可能影響記憶體需求增速，進而改變目前市場對供需缺口及價格上漲的預期。

儘管如此，瑞銀認為，目前AI帶動的記憶體需求仍遠高於供給增速，整體產業基本面並未改變，HBM、DRAM及NAND市場仍處於結構性供不應求階段，記憶體超級循環尚未結束。