AI儲存需求大爆發 輝達CMX明年恐消耗逾1億TB NAND 三星全力供貨

隨著人工智慧（AI）技術由訓練階段轉向大規模推論，AI伺服器對NAND快閃記憶體的需求正進入爆發式成長階段。根據《首爾經濟日報》報導，三星已開始向輝達（NVDA-US）供應第十代V-NAND，並將約60%的產能用於第九代產品，以滿足新型設備CMX（上下文記憶體儲存）的強勁需求。

CMX驅動驚人需求

輝達的CMX設備採用獨立外置儲存架構，單台設備可搭載高達576顆固態硬碟（SSD），總儲存容量達9600TB。業界分析師指出，CMX對NAND的需求量將從今年的3500萬TB，於明年激增至超過1億TB。此一需求規模相當於在NAND市場中無預警增加了一個如「蘋果（AAPL-US）」等級的大型客戶，對全球供應鏈造成顯著衝擊。

三星三代技術並進

面對此龐大的商機，記憶體巨擘三星電子已迅速調整策略。目前三星每月的V-NAND晶圓產能超過10萬片，並已針對輝達的需求展開積極布局：

第九代（V9）穩定量產：三星已將約60%的V-NAND產能配置於V9生產線，且良率穩定在80%以上，成為供應CMX的核心產品。

第十代（V10）正式量產：三星已於今年上半年啟動V10量產，並開始向輝達供貨。V10採用約400層堆疊架構，儲存密度較V9提升逾50%，並首度商用「鉬（Mo）」材料取代傳統的「鎢（W）」配線，使配線厚度縮減30%至40%。

第十一代（V11）進入試產：目前已啟動試產，目標堆疊層數將達400至500層，預計於今年下半年擴大試產規模，以累積良率數據。

利潤創新高與消費端供貨吃緊

受惠於AI儲存需求的結構性成長，三星預計在2026年的獲利將表現強勁。然而，輝達對高端NAND產能的大規模鎖定，將大幅擠壓其他企業及消費級市場（如一般PC或筆電SSD）的供給。隨著供應收窄，市場價格面臨顯著的上行壓力，恐重演DRAM先前因AI需求導致缺貨漲價的狀況。

李在鎔與黃仁勳會晤

為鞏固長期合作關係，三星電子會長李在鎔預計近期將在舊金山與輝達執行長黃仁勳會面。雙方除討論HBM高頻寬記憶體與下一代NAND的供貨安排外，預期也將針對在南韓建設資料中心等代工與儲存的全方位合作展開深入協商，進一步深化兩大科技巨頭的戰略同盟。