AI記憶體超級週期拐點將至？三星、SK海力士DRAM漲幅不及高盛估算，美光下月財報恐補刀

受AI伺服器需求激增推動，DRAM與NAND快閃記憶體價格過去一年大幅飆漲。由三星、SK海力士與美光壟斷的記憶體市場陷入嚴重缺貨。然而，兩大韓國大廠最新公布的季報顯示，價格上漲幅度未達預期，引發市場對此輪超級週期是否已逼近獲利高點的擔憂。

數據顯示，SK海力士2024年第二季DRAM平均售價（ASP）較上季上漲約30%，NAND則上漲50%；三星電子DRAM漲幅超過40%，NAND漲幅達60%。儘管絕對數字亮眼，但兩者皆低於華爾街分析師原先預期。

高盛原先預估SK海力士DRAM漲幅應達39%，現已下修至19%。晨星亦指出，三星DRAM漲幅低於其48%的估算，直言結果「令人失望」。

此類疲軟訊號已引發投資人警戒。記憶體產業屬典型循環性產業：新晶圓廠從動工到量產需耗時數年，需求暴增時價格飆升，但一旦供給跟上或雲端業者資本支出放緩，價格下跌將導致獲利急劇萎縮。目前市場普遍認為獲利週期已近頂點，因此三星、SK海力士與美光三大廠股價仍被壓在個位數本益比水準。

更關鍵的是，合約價與現貨價出現裂口。高頻寬記憶體（HBM）與企業級SSD多透過長期合約（LTA）銷售，部分產能已提前鎖定價格，導致混合平均售價（ASP）漲幅被稀釋。即使單季營收創新高，仍常「不如最樂觀預期」，股價往往隨即向下修正。

此連鎖效應將延燒至美光。分析師推測，美光下月公布的最新財報中，其DRAM定價漲幅也可能低於市場共識。短期來看，本季漲幅放緩已成定局；長期而言，若2027年供給逐步到位，且AI資本支出成長邊際放緩，由AI需求支撐的記憶體繁榮，恐從「斜率放平」轉向「獲利下修」。

投資人真正該關注的，不應只是漲價能否延續，而是哪些企業能透過長期合約護城河與自由現金流回饋，抵禦下行趨勢的衝擊。