輝達Rubin Ultra「降規」反成利多 瑞銀看好美光受惠

《Marketwatch》報導，輝達（NVDA-US）傳出正調整下一代Rubin Ultra AI晶片設計，考慮降低單顆晶片搭載的高頻寬記憶體（HBM）容量，以因應供應吃緊問題。瑞銀認為，這項變動雖然會減少每顆晶片使用的HBM，卻可能促使輝達增加晶片出貨數量，反而進一步推升整體HBM需求，為美光（MU-US）等記憶體供應商帶來利多。

瑞銀分析師提摩西、阿庫里（Timothy Arcuri）週一（10日）指出，輝達可能已下修Rubin Ultra的部分規格，目前正在測試搭載較少記憶體的不同版本。若新設計最終定案，市場可能需要部署更多顆晶片，才能維持原有的運算及記憶體容量。

換言之，單顆Rubin Ultra使用的HBM雖然減少，但所需晶片數量可能隨之增加。阿庫里預估，這種「單顆用量下降、晶片數量上升」的變化，可能使2027年HBM總消耗量高於原先預期。輝達尚未針對Rubin Ultra規格調整的消息作出回應。

HBM供應更吃緊，價格漲勢超出預期。阿庫里表示，HBM市場供需狀況持續收緊，HBM4及HBM4E的價格表現也比瑞銀先前預期更強。記憶體供應商正重新擴大HBM相較一般DRAM的價格溢價，可能帶動HBM平均售價較前一年上漲約79%，高於瑞銀原先預估的67%。

美光與南韓SK海力士（SKHY-US）、三星電子（005930-KR）並列全球主要HBM供應商。隨著人工智慧伺服器需要大量高效能記憶體，美光可望同時受惠於HBM需求增加及售價上揚。

除了HBM之外，NAND快閃記憶體需求也維持正向。阿庫里指出，伺服器及儲存設備使用的固態硬碟（SSD）需求優於預期，抵銷部分個人電腦市場疲弱的影響，並持續推升NAND合約價格。儘管NAND平均售價的季增幅可能不如瑞銀原先估計，但整體需求仍具支撐。阿庫里因此將今年NAND位元需求成長率預估調高至23%，並預估2027年進一步成長26%。

瑞銀進一步預估，美光2029年每股盈餘可維持在160美元以上，並稱公司截至2028年的累計自由現金流可能超過4,500億美元。他認為，美光的獲利能力正在經歷結構性重估。若目前的獲利持續性與能見度得以延續，市場可能給予美光更接近整體半導體產業的估值倍數。

美光股價週一下跌約1.9%，但今年以來累計仍大漲172%。

美光商務長蘇密特、薩達納（Sumit Sadana）週一在KeyBanc科技領袖論壇上表示，在客戶需求持續快速增加的情況下，記憶體供應吃緊的局面可能延續至2027年以後。薩達納指出，即使美光持續採取擴產措施，目前仍無法確定供應何時能追上需求。與過去記憶體產業的景氣循環不同，人工智慧仍處於快速發展初期，相關技術持續演進，使記憶體需求不斷向上調整。

HBM需求快速成長也排擠其他記憶體產品可使用的晶圓產能。然而，增加晶圓供應並非短期內可以完成，必須經過擴建廠房、安裝設備及提高產能等漫長程序。薩達納補充，即使記憶體價格持續上漲，美光資料中心及其他業務的客戶仍積極要求取得更多產品，顯示目前需求並未因價格走高而明顯降溫。