オンセミ、窒化ガリウム（GaN）パワーポートフォリオ「GaNEXUS™」を発表

オンセミ、窒化ガリウムパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表

オンセミは、AIデータセンタ、産業オートメーション、ロボティクス、エネルギーインフラアプリケーションにおいて、高効率、高電力密度、熱性能の向上を実現する新しい窒化ガリウム（GaN）パワーポートフォリオ「GaNEXUS™」を発表しました。初期ラインアップには、40Vから650Vの電圧範囲にわたって提供されるGaNEXUS FETが含まれます。さらに、システム統合の簡素化と信頼性の向上を目的とした保護機能内蔵のGaN FETである650V GaNEXUS Smartも含まれます。

### ニュースハイライト

- オンセミのGaNEXUSパワーポートフォリオは、高速スイッチング、低スイッチング損失、高電力密度、優れた熱性能を実現し、次世代アーキテクチャに対応します。 - 40Vから650VまでのGaNEXUS FETおよび、保護機能を内蔵した650V GaNEXUS Smart GaN FETは現在サンプル提供中です。（日本国内での提供時期は未定） - GaNEXUSは、センシング、制御、保護、電力管理を統合したオンセミのTreoプラットフォームと組み合わせることで、よりスマートで信頼性が高く、堅牢なシステムレベルの電源ソリューションを可能にします。 - オンセミのシリコン、EliteSiC、およびGaNEXUSの各技術を組み合わせることで、お客様は電力供給チェーン全体にわたり、効率、熱性能、システムサイズ、トータルコストを最適化するための高い柔軟性を得ることができます。

オンセミはGaNEXUSポートフォリオの発表に伴い、米国国内において初期サンプル出荷を開始しました。本ポートフォリオは、AIデータセンタの電力供給、48Vシステム、ロボティクスおよび産業オートメーションなど、高い消費需要を伴うアプリケーションに最適です。

AIインフラや電動化、産業オートメーションの進化により、高効率でコンパクトな電源アーキテクチャの需要が高まっています。特にAIデータセンタにおいては、2030年までに米国の総発電量の最大9%を消費すると予測されており、電力・冷却コストはデータセンタ運営経費の最大40%に達する見込みです。

GaNEXUSは、従来のシリコンベースのソリューションと比較して、より高速なスイッチング速度、低スイッチング損失、高電力密度、そして優れた熱性能を実現することで、これらの課題に対応します。これにより、磁気部品や冷却システムの小型化と、システム全体の効率・応答性向上、コスト削減を可能にします。

オンセミのGaNディビジョン担当バイスプレジデントであるアントワーヌ・ジャラベール氏は、「当社のGaNEXUSポートフォリオは、電源システム設計における新たなアーキテクチャを可能にします。顧客の限られたスペースでより大きな電力を求めるニーズに対し、高い柔軟性を提供します」と述べています。