Patentix株式会社 ニュースリリース

『びわこ半導体構想 技報』創刊号 発行のお知らせ

2026年8月6日 Patentix株式会社（滋賀県草津市、代表取締役：衣斐 豊祐、以下「Patentix」）は、2026年5月に発足した産学官連携オープンイノベーション拠点「びわこ半導体構想」の最… · 2026-08-06

応用物理学会 先進パワー半導体分科会第32回研究会「ウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイス最前線」にて講演のお知らせ

2026年7月27日 Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐 豊祐）は、2026年7月31日（金）に大阪公立大学にて開催される「公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分… · 2026-07-27

エレクトロニクス実装学会関西支部主催「実装フェスタ関西2026」における招待講演およびポスター発表のお知らせ

Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐 豊祐、以下 当社）は、当社取締役CTOの松田が、2026年7月9日（木）〜10日（金）に開催される一般社団法人 エレクトロニクス実装… · 2026-06-30

テクノフロンティア2026展に出展します

2026年７月6日 Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「Patentix」）は、2026年7月15日（水）～17日（金）までの３日間、東京ビッグサイトで開催… · 2026-07-06

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

Patentixがルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でp型ショットキーバリアダイオード特性を確認。 · 2026-03-31

6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功

Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の薄膜を6インチSiウエハ上に成膜することに成功しました。… · 2026-05-13

「びわこ半導体構想」本格始動に向けての事務局設立のお知らせ

「びわこ半導体構想」事務局が設立され、次世代パワー半導体「二酸化ゲルマニウム（GeO₂）」の実用化と普及を目指すコンソーシアムが本格始動します。日本発の革新技術で国際競争力強化と脱炭素社会に貢献します… · 2026-05-13

Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜の成膜に成功

Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜をSi基板上に成膜することに成功しました。これは… · 2026-05-13

6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功

Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の薄膜を6インチSiウエハ上に成膜することに成功しました。… · 2026-05-13

立命館大学発スタートアップ Patentix、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約 1億5,000万円 の資金調達を実施

立命館大学発の半導体スタートアップPatentixが、シリーズA1で約1億5,000万円の資金調達を実施。次世代パワー半導体材料「二酸化ゲルマニウム（GeO₂）」の研究開発を加速し、実用化開発フェーズ… · 2026-04-06

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜の成膜に成功

Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜をSi基板上に成膜することに成功しました。これに… · 2026-05-13

「びわこ半導体構想」本格始動に向けての事務局設立のお知らせ

「びわこ半導体構想」事務局が設立され、次世代パワー半導体「二酸化ゲルマニウム（GeO₂）」の実用化と普及を目指すコンソーシアムが本格始動します。日本発の革新技術で国際競争力強化と脱炭素社会に貢献します… · 2026-05-13

立命館大学発スタートアップ Patentix、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約 1億5,000万円 の資金調達を実施

立命館大学発の半導体スタートアップPatentixが、シリーズA1ラウンドで総額約1億5,000万円を資金調達。累計調達額は12億900万円となった。 · 2026-04-06

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

<p><strong>　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2026年3月31日</strong></p> <p>Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世… · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

立命館大学発スタートアップ Patentix、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約 1億5,000万円 の資金調達を実施

立命館大学発の半導体スタートアップPatentixが、シリーズA1ラウンドで総額約1億5,000万円を資金調達。累計調達額は12億900万円となった。 · 2026-04-06

デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

Patentixがルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でp型ショットキーバリアダイオード特性を確認。 · 2026-03-31