Patentix株式會社宣布將於電子封裝學會關西支部主辦之「封裝Festa關西2026」進行專題演講及海報發表
Patentix株式會社(總公司:滋賀縣草津市,代表取締役社長:衣斐 豐祐,以下稱本公司)宣布,本公司董事CTO松田將於2026年7月9日(四)至10日(五)舉行的「一般社團法人 電子封裝學會關西支部… · 2026-06-30
Patentix株式会社 新聞稿
將參展 Techno Frontier 2026
2026年7月6日 Patentix株式會社(總公司:滋賀縣草津市,代表取締役社長:衣斐豐祐,以下稱「Patentix」)將於2026年7月15日(三)至17日(五)為期三天,在東京國際展示場舉辦的… · 2026-07-06
透過離子注入受主雜質的وهل型二氧化锗薄膜中確認到p型蕭特基勢壘二極體特性
Patentix 在وهل型二氧化锗薄膜中確認到p型蕭特基勢壘二極體特性。 · 2026-03-31
立命館大學新創企業Patentix，在A1輪（A輪延伸）融資中籌集總額約1億5,000萬日圓
開發次世代GeO2半導體的Patentix在A1輪中籌得1億5,000萬日圓，累計融資達12億900萬日圓。資金將用於加速量產準備與樣品出貨。 · 2026-04-06
成功在6英寸矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜
Patentix株式會社與株式會社JTEKT Thermo System合作，成功開發出兼容6英寸基板的新型沉積設備，並在6英寸矽晶圓上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜。… · 2026-05-13
關於「琵琶湖半導體構想」正式啟動事務局成立的公告
「琵琶湖半導體構想」事務局已成立，旨在推動下一代功率半導體「二氧化鍺（GeO₂）」的商業化和普及，該聯盟正式啟動。這項源自日本的創新技術旨在增強國際競爭力並為脫碳社會做出貢獻。 · 2026-05-13
成功在6英寸矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜
Patentix株式會社與株式會社JTEKT Thermo System合作，成功開發出兼容6英寸基板的新型沉積設備，並在6英寸矽晶圓上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜。… · 2026-05-13
成功在矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)單晶薄膜
Patentix株式會社與株式會社JTEKT Thermo System共同開發了支援6英吋晶圓的新型沉積設備，並成功在矽基板上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)的單晶薄膜。 · 2026-05-13
成功驗證空乏型 r-GeO₂ MOSFET 之電晶體運作
Patentix 株式會社成功使用備受矚目的次世代功率半導體材料——金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）製作了空乏型 MOSFET，並驗證了其電晶體運作。這為未來高效能功率元件奠定了基礎。 · 2026-03-31
成功驗證空乏型 r-GeO₂ MOSFET 之電晶體運作
Patentix 株式會社成功使用備受矚目的次世代功率半導體材料——金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）製作了空乏型 MOSFET，並驗證了其電晶體運作。這為未來高效能功率元件奠定了基礎。 · 2026-03-31
成功在矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)單晶薄膜
Patentix株式會社與株式會社JTEKT THERMO-SYSTEM共同開發並製造了6英寸兼容的新型薄膜沉積設備，成功在矽基板上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)的單晶薄膜… · 2026-05-13
關於「琵琶湖半導體構想」正式啟動事務局成立的公告
「琵琶湖半導體構想」事務局已成立，旨在推動下一代功率半導體「二氧化鍺（GeO₂）」的商業化和普及，該聯盟正式啟動。這項源自日本的創新技術旨在增強國際競爭力並為脫碳社會做出貢獻。 · 2026-05-13
立命館大學新創企業Patentix，在A1輪（A輪延伸）融資中籌集總額約1億5,000萬日圓
開發次世代GeO2半導體的Patentix在A1輪中籌得1億5,000萬日圓，累計融資達12億900萬日圓。資金將用於加速量產準備與樣品出貨。 · 2026-04-06
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
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成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
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成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
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Patentix 在وهل型二氧化锗薄膜中確認到p型蕭特基勢壘二極體特性。 · 2026-03-31