発振出力4倍！テラヘルツ波発振デバイスの第2世代品を開発
＜要旨＞ ローム株式会社（本社：京都市）は、半導体素子の共鳴トンネルダイオード（Resonant Tunneling Diode：RTD）（*1）を用いた、テラヘルツ波発振デバイスの第2世代品を開発… · 2026-08-04
ローム株式会社 ニュースリリース
上面放熱の新パッケージ！高放熱と高耐圧を両立したSiC MOSFET
ローム株式会社（本社：京都市）は、SiC MOSFETのTSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを開発しました。新製品は、自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に… · 2026-07-09
10Gbps超の高速I/Fに対応するESD保護ダイオードを開発
ロームが高速I/F対応ESD保護ダイオード「RESDxVxシリーズ」を開発。 · 2026-03-27
「テラヘルツ波・共鳴トンネルダイオード シンポジウム」を開催
ローム株式会社（本社：京都市）は2026年8月7日（金）、ローム新横浜駅前ビルにて「テラヘルツ波・共鳴トンネルダイオード シンポジウム」を開催します。 本シンポジウムでは、テラヘルツ波の発振・検出デ… · 2026-06-25
超小型実装エリアの昇降圧電源基板を開発
ローム株式会社（本社：京都市）は、高効率と超低消費電流を両立した電源IC「BD83070GWL」の特長を最大限に評価できる新リファレンス基板「BD83070GWL-EVK-002」を開発しました。 … · 2026-06-23
エッジAIの開発コンテスト「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」を開催
ローム株式会社がエッジAIの開発コンテスト「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」を開催。品質と信頼性を第一とする半導体メーカーがエッジAI技術の革新を促進する。 · 2026-04-22
パワーエレクトロニクス回路を高速検証！ROHM PLECS Simulatorを公開
ローム株式会社は、パワーエレクトロニクス回路の設計者向けに、ローム製パワーデバイスの動作をWeb上で高速シミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開しました。このツールはP… · 2026-04-14
ローム、CSPI 2026で地図不要の自律走行技術「NoMaDbot™」を提案：建設・インフラ現場のロボット社会実装へ
ローム株式会社は、2026年6月17日より幕張メッセで開催される「CSPI 2026」に出展。地図作成不要の自律走行モジュール「NoMaDbot™」の実機を展示し、建設現場での導入パートナーを募集する… · 2026-05-26
600V耐圧Super Junction MOSFETに高放熱・表面実装パッケージが新登場
ロームは、電源の小型化・高効率化需要に応え、600V耐圧Super Junction MOSFET「R60xxXNx」「R60xxWNx」シリーズを開発しました。高放熱・表面実装パッケージ（DFN80… · 2026-06-11
ロームのSiC MOSFETが、HVDC化が進むAIサーバー向けBBUに採用
ローム株式会社（京都市）の750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」が、AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）に採用されました。高電圧化が進むAIサーバー電源環境において… · 2026-05-21
パワーエレクトロニクス回路を高速検証！ROHM PLECS Simulatorを公開
ローム株式会社は、パワーエレクトロニクス回路設計者向けに、ローム製パワーデバイスのWeb上での高速シミュレーションツール「ROHM PLECS Simulator」を公開した。PLECS®をベースとし… · 2026-04-14
車載48Vシステム向けのMOSFET「AG16xFNxxシリーズ」を開発！
ローム株式会社は、車載48V電源システムに対応する80V耐圧MOSFET「AG16xFNxxシリーズ」を製品化し、2026年4月より量産を開始しました。 · 2026-05-28
ローム、車載SoC向けに高拡張性の電源ソリューションを開発
ローム株式会社は、ADASやDMSなどの車載アプリケーション向けSoCに対応する、拡張性の高い電源ソリューションを開発した。このソリューションは、Configurable PMIC「BD968xx-C… · 2026-05-19
エッジAIの開発コンテスト「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」を開催
ローム株式会社がエッジAIの開発コンテスト「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」を開催。品質と信頼性を第一とする半導体メーカーがエッジAI技術の革新を促進する。 · 2026-04-22
高温時オン抵抗を約30%低減！第5世代SiC MOSFETを開発
ローム株式会社が第5世代SiC MOSFETを開発し、高温時のオン抵抗を約30%低減しました。これは半導体技術の重要な進歩であり、電力効率の向上に貢献します。 · 2026-04-21
高温時オン抵抗を約30%低減！第5世代SiC MOSFETを開発
ローム株式会社が第5世代SiC MOSFETを開発し、高温時のオン抵抗を約30%低減しました。これは半導体技術の重要な進歩であり、電力効率の向上に貢献します。 · 2026-04-21
パワーエレクトロニクス回路を高速検証！ROHM PLECS Simulatorを公開
ローム株式会社は、パワーエレクトロニクス回路設計者向けに、ローム製パワーデバイスのWeb上での高速シミュレーションツール「ROHM PLECS Simulator」を公開した。PLECS®をベースとし… · 2026-04-14