高溫時導通電阻降低約30%!第五代SiC MOSFET開發成功
羅姆股份有限公司開發出第五代SiC MOSFET,在高溫時實現了約30%的導通電阻降低。這是半導體技術的一項重大進展,有助於提高電源效率。 · 2026-04-21
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羅姆(ROHM Co., Ltd.)已為ADAS、DMS等車用系統單晶片(SoC)開發出一款高擴展性的電源解決方案。此方案可靈活組合可配置PMIC「BD968xx-C系列」與DrMOS「BD96340… · 2026-05-19
半導體製造商羅姆(ROHM)將舉辦「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」邊緣AI開發競賽,強調其重視品質與可靠性的核心價值。 · 2026-04-22
羅姆(ROHM)開發出支援高速介面的ESD保護二極體「RESDxVx系列」。 · 2026-03-29
羅姆(ROHM)公司將於2026年6月17日起在幕張展覽館舉行的「CSPI 2026」展出不需要地圖建立的自動駕駛模組「NoMaDbot™」。現場將展示搭載於鈴木及 CuboRex 車輛上的實機,並招… · 2026-05-26
羅姆(ROHM)開發了全新的 600V 耐壓 Super Junction MOSFET「R60xxXNx」與「R60xxWNx」系列,以滿足電源小型化與高效率化的市場需求。透過採用高散熱表面貼裝封裝… · 2026-06-11
ROHM (京都市) 的 750V 耐壓 SiC MOSFET「SCT4013DLL」已獲 AI 伺服器電池備用單元 (BBU) 採用。在 AI 伺服器電源高壓化趨勢下,該產品憑藉對 HVDC 架構的… · 2026-05-21
羅姆株式會社已在其官方網站上發布「ROHM PLECS Simulator」,為功率電子電路和系統設計師提供羅姆功率元件的網頁高速模擬功能。此工具基於 PLECS® 模擬軟體,讓使用者能夠快速模擬功率… · 2026-04-14
ROHM 公司將支援車載 48V 電源系統的 80V 耐壓 MOSFET「AG16xFNxx 系列」產品化,並於 2026 年 4 月起開始量產。 · 2026-05-28
半導體製造商羅姆(ROHM)將舉辦「ROHM EDGE HACK CHALLENGE 2026」邊緣AI開發競賽,強調其重視品質與可靠性的核心價值。 · 2026-04-22
羅姆股份有限公司開發出第五代SiC MOSFET,在高溫時實現了約30%的導通電阻降低。這是半導體技術的一項重大進展,有助於提高電源效率。 · 2026-04-21
羅姆株式會社已在其官方網站上發布「ROHM PLECS Simulator」,為功率電子電路和系統設計師提供羅姆功率元件的網頁高速模擬功能。此工具基於 PLECS® 模擬軟體,讓使用者能夠快速模擬功率… · 2026-04-14
羅姆株式會社已在其官方網站上發布「ROHM PLECS Simulator」,為功率電子電路和系統設計師提供羅姆功率元件的網頁高速模擬功能。此工具基於 PLECS® 模擬軟體,讓使用者能夠快速模擬功率… · 2026-04-14