領先科技與Next Semiconductor共同開發氮化鎵功率半導體切換評估裝置

領先科技股份有限公司（福島縣磐城市，代表取締役社長杉浦正幸）與Next Semiconductor股份有限公司（大分縣大分市，代表取締役CEO松本武彌）共同開發出適用於氮化鎵（GaN）功率半導體的切換評估裝置「雙脈衝測試儀」。Next Semiconductor將於2026年9月1日（星期二）起在岡山大學津島校區舉辦的「2026年電氣學會產業應用部門大會」企業展覽中公開實機。

高功率GaN：「製造」不易，「量測」更難

功率半導體技術已從矽（Si）進展至碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），切換速度大幅提升。切換速度越快，電路中微小的電感與閘極驅動電路設計對切換波形的影響就越顯著。即使元件本身特性優異，若未在封裝成模組並與驅動電路整合的狀態下進行測試，便無法掌握其在實際系統中的運作行為。

相較於已廣泛應用於智慧型手機與個人電腦充電器的低功率GaN，電動車與工業系統所需的650V／300A級高功率領域，在封裝與評估兩方面仍面臨諸多挑戰。

開發成果：雙脈衝測試儀

本裝置採用雙脈衝法，用於評估GaN功率元件與功率模組的切換特性。不僅可測試單一元件，更支援模組與驅動電路整合狀態下的評估，並具備測量波形的分析功能。首台設備已安裝於國立大分大學，投入研究開發使用。

雙方合作開發的切換評估裝置「雙脈衝測試儀」

雙方分工內容

領先科技：負責測試設備的設計、製造、產品化、搬入、啟用與維護，並可提供與處理器（handler）整合的解決方案。

Next Semiconductor：負責定義高功率GaN評估所需規格，設計包含功率模組與驅動電路的測試條件，並進行實機驗證。

Next Semiconductor股份有限公司為一技術團隊，專注於功率元件、功率模組與驅動電路的一體化最佳化設計。公司以大學研究者為核心，建立從元件、模組到電力轉換裝置皆由同一團隊設計的體制。本測試設備即是將公司於研發過程中自行建置的實驗室量測環境產品化的成果。

未來發展方向

雙方將持續向研究機構、功率元件、功率模組與變頻器製造商推廣本設備，並持續進行高功率GaN功率模組的研發。設備規格與供應體系將於準備完備後另行公告。

代表高層致詞

領先科技股份有限公司 代表取締役社長 杉浦正幸

「我們基於在SiC元件量產測試設備與處理器領域的實績，將高功率GaN元件測試設備列為下一階段開發重點。透過與具備GaN技術的Next Semiconductor合作，致力打造一款讓使用者願意實際採用的測試設備。未來也將持續優化設備並擴大檢測範圍。」

Next Semiconductor股份有限公司 代表取締役CEO 松本武彌

「高功率GaN不僅需解決模組化與驅動問題，能否正確量測所製造的元件更是關鍵。我們在自身研發過程中屢屢遭遇此挑戰。這套設備正是從實際開發現場誕生的成果。我們希望面臨相同課題的研究實驗室與開發單位能優先使用。」

展覽資訊

活動名稱：2026年電氣學會產業應用部門大會

展期：2026年9月1日（星期二）至9月3日（星期四）

地點：岡山大學津島校區（岡山縣岡山市北區津島中1-1-1）

內容：於企業展區公開展示雙脈衝測試儀實機

公司簡介

領先科技股份有限公司

總部地址：福島縣磐城市中部工業園區4-6

代表人：代表取締役社長 杉浦正幸

事業內容：半導體與LCD製造設備之設計、製造與銷售

官方網站：https://www.leadtech.jp/

Next Semiconductor股份有限公司（Next Semiconductor Inc.）

總部地址：大分縣大分市大字旦野原700號 大分大學研究管理機構棟4樓423-1室

代表人：代表取締役CEO 松本武彌／代表取締役CTO 大森雅登

事業內容：運用次世代功率半導體（GaN・SiC）進行技術開發、試作與技術顧問服務

官方網站：https://nxtsemi.com/

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