【新刊導覽】半導體與AI時代低介電材料大全 ~ 從実装、規制、經濟安全保障解析2035年戰略 ~ 發行:(股)CMC Research

在AI基礎設施需求急劇擴大的背景下，低介電材料正從單純的電子材料轉變為「AI時代的戰略資源」。

本書將全面分析224Gbps超高速傳輸、光電整合(CPO)、小晶片・3D実装、PFAS規制、經濟安全保障等重要主題。

透過市場預測、主要企業分析、數位分身、MI應用案例等，綜合分析至2035年的市場結構。

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📘 書籍概要

標題:半導體與AI時代低介電材料大全 ~ 從実装、規制、經濟安全保障解析2035年戰略 ~(The Compendium of Low-Dielectric Materials for the Semiconductor and AI Era )

發行日:2026年6月30日

形式:A4判、平裝・173頁

定價:本體(冊子版) 154,000日圓(含稅)

套組價格(書籍+PDF版CD):本體 + CD(PDF版) 198,000日圓(含稅)

ISBN:978-4-910581-92-7

編輯發行:(股)CMC Research

📝 本書特色

➢ 支撐224Gbps超時代的低介電材料技術革新與市場變化!

➢ 地緣政治時代的供應鏈重組與材料戰略!

➢ 由光電整合、玻璃核心基板引領的先端実装未來圖像!

➢ 透過三重放大模型解析2035年電子基板材料市場!

➢ 從多角度分析主要材料製造商的競爭優勢!

➢ 支撐小晶片・3D実装的低介電材料技術要件!

➢ 放眼2035年的低介電材料市場成長性與投資價值!

◎刊行緣起

電子材料產業目前正處於歷史性的轉捩點，多個大型趨勢在AI基礎設施需求急劇擴大的背景下同時進行。其核心便是低介電材料。過去，低介電材料被定位為對應高頻率的功能性材料，但近年來，隨著AI伺服器、邊緣運算、實體AI、自動駕駛、次世代通訊基礎設施的發展，其戰略重要性正迅速提升。

特別是在224Gbps以上的高速傳輸領域，介電損耗直接制約系統性能，成為主要因素。隨著頻率上升，傳輸損耗與材料特性呈現非線性增大，僅靠傳統的電氣配線已難以維持功耗、發熱及信號品質。在此領域，材料的選擇不再是單純的材料層級優化，而是直接關聯到整個系統架構的設計。此外，作為補充電氣配線極限的方案，封裝內光互連和CPO(Co-Packaged Optics)正浮現為實際解決方案，聚合物光波導與低介電材料的整合設計已不可或缺。

同時,PFAS規制正在改變電子材料開發的先決條件。過去實現高性能的含氟材料，因環保法規加強的影響，轉向替代材料的壓力正迅速升高。這使得材料開發的範式從傳統的「性能最大化」轉變為「以規制、成本、供應限制為前提的多維度優化」。這種變化不僅影響材料設計，更波及製造流程、良率、成本結構，乃至整個供應鏈。

此外，地緣政治風險和經濟安全保障重要性的提升，正大幅改變電子材料產業的供應結構。特別是圍繞美中對抗的出口管制、各國半導體產業政策、關鍵礦物供應限制，已使材料供應鏈斷裂的風險具體化。這迫使材料製造商除了原有的性能、成本競爭外，還需應對「供應持續性」、「區域分散」、「法規符合性」等新的競爭軸。

再者,AI伺服器和次世代資料中心在傳輸損耗對策和功耗抑制方面的成本正迅速增加，材料特性本身已開始左右系統整體的電力效率、熱設計、TCO(Total Cost of Ownership)。也就是說，低介電材料已不再是單純的電子材料，其作為決定AI時代基礎設施效率的戰略資源的性質日益增強。

本報告將這些變化不僅從單一視角，而是從「技術」、「規制」、「市場」、「地緣政治」的四層結構來理解並進行整合分析。特別是透過三重放大模型進行市場預測、利用數位分身可視化傳輸損耗、透過MI(Materials Informatics)提升材料開發的先進性等方式，揭示次世代電子材料領域的競爭結構本質。

此外，我們將考量國內外主要企業的戰略比較、新創公司的技術動向、跨產業合作的進展、供應鏈重組的方向，定量評估至2035年的投資機會與事業風險。本報告旨在為材料製造商、半導體企業、実装相關企業、化學製造商，乃至投資、事業戰略部門，提供理解次世代電子材料市場的實踐性指南。

CMC Research 調查部

📖 本書構成、目錄概要

第I編 綜合分析編 大型趨勢與低介電材料的範式轉移

第1章 低介電材料的範式轉移 ~ 整合224Gbps・PFAS規制、地緣政治風險的次世代実装戰略 ~

1. 系統架構與信號完整性(SI)

2. 政策動向與供應鏈的風險結構

3. 実装流程與良率風險

4. 市場結構與收益模式

5. 技術成熟度(TRL)與導入判斷

6. 經營決策矩陣

7. 總結:擺脫材料供應的束縛

第2章 次世代低介電材料的需求轉移 ~ 從5G基礎設施到AI・邊緣、實體AI的變遷 ~

1. 從通訊到運算，再到實體

2. 應用別材料需求的結構性比較

3. 與5G基礎設施相比,AI伺服器的技術獨特性

4. 邊緣及實體AI中的材料趨勢

5. 材料供應鏈動向與法規應對

6. 向多維度優化時代的轉移與「系統材料」競爭

第3章 次世代應用別材料、技術路線圖

1. 資料中心:224G/3.2T與CPO中的整合設計

2. 實體AI・機器人:以機械可靠性為主導的設計

3. 6G/衛星:以量產適用性為主的TRL

4. 材料韌性:規制與可靠性的雙重限制

第4章 市場規模推移及預測(2024年~2035年)~ 以三重放大模型進行電子基板材料市場的結構分析 ~

1. 市場成長分解模型:材料市場超越基板市場的理由

2. 主導三重放大結構的主要變數

3. 「數量×單價×損耗」所構成的三重放大結構

4. 投資判斷模型:收益結構的分解

5. 應用別組合與收益結構

6. 基板材料市場預測:從AI伺服器到邊緣分散化

7. 低介電材料市場預測:向多材料共存結構的轉移

8. PFAS規制與情境分支

第5章 撼動產業結構的4大主題 ~ 為投資判斷進行定量風險、機會分析 ~

1. AI伺服器、HPC:高密度叢集中的TCO逆轉點

2. PFAS Free替代:多軸權衡與分層優化

3. 碳中和:成本限制與區域差異

4. MI(材料資訊學):規模化的瓶頸

5. 2026–2030年投資評估框架

第6章 技術要件與標準化動向 ~ 設計限制的量化與投資影響 ~

1. 頻率別傳輸損耗的嚴格評估與追求Df極限的投資邊界線

2. 高速資料傳輸規格與「Retimer vs 高附加價值材料」的損益分岐點

3. 散熱對策、CTE・GlassCore:高密度実装的物理極限

4. 電子材料市場中的競爭力評估KPI結構轉變‐高速傳輸、先端実装、PFAS規制時代的整合評估指標‐

第II編 案例研究編 ~ 實裝與材料的深化 ~

第1章 基板材料 ~ 系統韌性與環境適應性 ~

1. 多層主基板用CCL(AI伺服器、資料中心專用型)

2. 天線基板用CCL(6G・實體AI通訊用)

3. 低介電FCCL・層間絕緣薄膜(穿戴式裝置、機器人應用)

4. 次世代封裝基板材料(支援小晶片、光電整合)

第2章 低介電材料 ~ 高功能化與永續性的並存 ~

1. 環氧樹脂/PPE/雙馬來醯亞胺(高耐熱、高頻率對應)

2. 丁二烯/芳香族烴‐PFAS Free低介電材料的有力候選者‐

3. 氟樹脂(PTFE等):法規動向與極低損耗應用的維持

4. 液晶聚合物(LCP)・低介電PI:對應多層化、薄膜化需求

5. 功能性填充劑(低介電二氧化矽、中空微粒子)的穩定供應

6. 低介電難燃劑、環保添加劑

第III編 焦點製造商開發案例編 ~ 韌性與創新 ~

第1章 國內主要材料製造商的戰略概觀

1. 生成AI・HPC時代的高功能基板材料競爭結構

2. 個別企業戰略的詳細分析

3. 韌性與創新的整合戰略

4. 總結:AI基板材料的先進化戰略與持續性優勢

第2章 海外有力製造商的全球戰略 ~ AI実装、專業化、地緣政治重組重新定義電子材料競爭 ~

1. Qnity Electronics(原 DuPont Electronics & Industrial)

2. Rogers Corporation

3. Isola Group

4. Lonza

5. Doosan Corporation Electro-Materials

6. Nanya Plastics

7. 2026年電子材料市場總結:向AI基礎設施整合產業的轉移與適應要點

第3章 全球比較分析與競爭力評估 ~ 從MI・地緣政治、環保對應角度審視材料製造商的結構優勢 ~

1. 技術韌性:材料資訊學(MI)的應用比較

2. 分散式生產體系:地緣政治風險應對結構

3. 環保應對力:法規符合性與市場需求

4. 客戶整合力:AI伺服器、HBM時代的新競爭軸

5. 次世代電子材料市場中的競爭結構轉變

第IV編 透過數位分身、MI進行開發創新編

第1章 透過MI進行次世代樹脂的分子設計

1. MI樹脂開發的瓶頸

2. 基於帕雷托最適化的分子設計基本結構

3. 分子生成與探索的基本方法

4. 導入MI的效果與限制

5. 次世代樹脂設計的結構性變化

6. 結論:向數據驅動型探索的結構轉移

第2章 MI在PFAS替代材料開發中的應用案例 ~ 非氟聚合物的物性預測與開發時程縮短 ~

1. PFAS規制環境與技術背景

2. 透過MI進行非氟材料設計的基本結構

3. 非氟聚合物設計的方向性

4. 替代材料設計中MI的角色

5. PFAS替代開發中MI的意義

6. 結論:次世代高速通訊用低介電材料的開發戰略 ~ PFAS Free轉型與透過MI進行多目標優化的結構 ~

第3章 高頻傳輸損耗的數位分身、建模 ~ 解析224Gbps以上傳輸中的損耗因素與校準 ~

1. 224Gbps級傳輸中的物理挑戰

2. 透過數位分身進行的建模方法

3. 校準與實際測量整合

4. 數位分身的核心結構

5. 次世代高速傳輸設計中的高精度建模技術

第V編 光電整合・3D封裝実装編

第1章 小晶片(2.5D/3D)結構中的中介層材料低介電要求 ~ 為高密度配線化與信號延遲抑制而進行的材料革新 ~

1. 中介層材料的進化結構

2. 傳輸特性與低介電要求

3. 熱膨脹係數(CTE)與実装可靠性

4. 3D実装與絕緣材料的進化方向

5. 結論:次世代半導體実装戰略與生態系統:透過非財務指標與技術革新重新定義企業價值

第2章 CPO実装中聚合物光波導與低介電材料的整合 ~ 突破電氣信號極限與封裝內光互連的実装 ~

1. CPO実装中的材料結構基本要求

2. 聚合物光波導的材料特性

3. 電光混合基板結構

4. 光耦合與実装精度管理

5. 結論:CPO(Co-Packaged Optics)実装中的多物理場整合設計與材料戰略

第3章 玻璃核心基板(GCS)的興起~與有機材料的混合化及未來預測~

1. GCS的需求背景:有機材料的結構性極限

2. 玻璃核心基板(GCS)的結構性優勢

3. 次世代半導體封裝中的異質材料整合戰略:GCS実装的技術要點與透過MI重新定義功能材料設計

4. 未來預測與市場路線圖(2026–2030)

5. 結論:GCS所帶來的結構轉變

第VI編 全球法規與供應鏈、風險編

第1章 歐洲REACH、美國TSCA、日本化審法

1. 歐洲聯盟(EU):透過REACH全面管理PFAS

2. 美國:以TSCA為核心的分階段管控

3. 日本:透過化審法進行個別物質管制

第2章 關鍵礦物、原材料的地緣政治風險

1. 螢石與氟化學供應鏈:中國依存結構的實態

2. 經濟安全保障政策與戰略自主

3. 循環經濟與PFAS管理

第3章 經濟安全保障推進法與半導體、電子材料的國內回歸動向

1. 經濟安全保障推進法與特定重要物資

2. 半導體、電子材料產業的國內回歸

3. 法務、採購部門所需的整合管理

第VII編 投資、聯盟戰略編

第1章 低介電材料新創公司的融資動向與技術合作地圖

1. 市場背景:高頻化與環保規制的同步進行

2. 新創公司融資的結構

3. 技術合作與実装生態系統

第2章 跨產業合作(化學×IT×設備製造商)實現垂直整合

1. 供應鏈重組的必然性

2. 「化學×IT×設備」三位一體模式

3. 在実装領域的垂直整合成果

4. 經營企劃、投資者應重視的論點

5. 結論:6項重點評估指標與結構轉變

第3章 預測至2035年的投資價值計算 ~ 低介電材料市場的潛力與ROI分析 ~

1. 預測至2035年的市場成長驅動因素

2. 定量投資評估與ROI分析

3. 透過rNPV(風險調整後NPV)進行評估

4. 對經營企劃、投資者的建議

5. 結論:預測至2035年的低介電材料市場展望與競爭軸的變遷

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