半導體產業先進材料與高純度解決方案全球領導者 Entegris 與材料創新領導者及 Inpria Corporation 母公司 JSR 株式會社今日宣布,雙方已達成一項非獨佔交叉授權協議,旨在支援次世代晶片製造所需的極紫外光(EUV)微影技術進展。

根據協議,Entegris 與 Inpria 將針對金屬氧化物光阻劑(MOR)相關專利進行交叉授權,並終止審理中的專利複審程序(IPR2025-00267)。兩家公司還將探討未來在光阻材料領域合作的可能性。此項合作預計將涵蓋光阻劑設計、前驅體合成與開發,甚至延伸至 MOR 專用的高純度過濾技術及相關供應系統,這些技術對於確保新材料在 EUV 微影大量生產中發揮穩定性能至關重要。

藉由結合 JSR 與 Inpria 在金屬氧化物光阻材料方面的全面領導地位,以及 Entegris 在 CVD 沉積用 MOR 前驅體、材料處理及高純度過濾技術方面的專業知識,此項合作將在兩家公司邁向 AI 時代擴展先進技術的過程中,進一步擴大先進材料在半導體製造中的應用。

Entegris 資深副總裁 Olivier Blachier 表示,這項協議展現了生態系統內部的創新進展,有助於客戶更有信心導入次世代微影技術。JSR 上席執行役員木村徹則指出,結合 Inpria 的創新技術與 Entegris 的精製及處理專長,將擴大這些技術在半導體材料生態系統中的適用範圍。

FACT BOX · 重點整理

  • 來源:PR TIMES
  • 分類:合作
  • 相關組織:Entegris, Inc. / JSR株式会社 / Inpria Corporation
  • 原文日期:本日 (発表日)