三菱電機開始提供電動車逆變器用「第5代SiC-MOSFET晶片」樣品

三菱電機株式會社宣布將於2026年6月下旬起，陸續提供兩款新型第5代SiC-MOSFET晶片樣品。該產品主要應用於電動車（xEV）及插電式混合動力車（PHEV）的驅動馬達逆變器與eAxle。新晶片採用獨家研發的溝槽（Trench）式FSC構造，搭配斜向離子注入技術提高晶胞密度，成功使導通電阻較傳統溝槽型產品降低約25%，達到業界頂尖的低導通電阻水準。此技術可提升逆變器性能並縮小其體積，進而延長電動車的續航里程並改善電耗。此外，新產品採用獨家製造工藝技術，能抑制因體二極體（Body Diode）通電造成的性能劣化，並減少開關切換時的電力損失與導通電阻波動，確保長期使用的穩定品質與耐用度。該晶片預計在2026年6月9日至11日於德國紐倫堡舉辦的「PCIM Expo & Conference 2026」展會，以及日本、中國等地的展示會中展出。三菱電機將持續擴大提供低損耗、高品質的SiC-MOSFET晶片，為綠色轉型（GX）做出貢獻。