外国メディアが火曜日(21日)に、SK海力士がインテルのオハイオ州にある大規模な半導体园区を買収するとの報道をしたことを受け、SK海力士は本日(22日)正式に否定する声明を発表しました。インテル側も同時に、現時点で工場の売却計画はないと明確にしています。

報道では、この取引が実現すれば、SK海力士は今後5年以内に当該园区でメモリチップを生産することになり、米国政府が求める半導体の国内生産要件を満たすだけでなく、資金難に陥っているインテルのファブ事業を財政的に支援する可能性があると指摘されています。

インテルのオハイオ州园区は2022年に着工し、約405万平方メートルの敷地に最大8つの工場を収容できる規模です。当初の総投資額は1000億ドルにのぼると見積もられていましたが、米国の『チップ法』による補助金審査の遅れや、ファブ事業の継続的な赤字により、操業開始は2030年から2031年に延期されています。

買収報道は否定されたものの、米国がサムスン電子やSK海力士に対して米国への投資を強く促している背景には、戦略的な半導体政策があります。実際に、SK海力士は最近、米国でADRを発行して265億ドルを調達しました。この資金は韓国国内での増産やEUV装置の購入に充てられるとされており、米国としては、韓国企業が自国に工場を建設するよう圧力を強めています。

米商務長官ルトニック氏は数日後、SK海力士やサムスンと交渉しており、米国での新工場建設を促していると明かしました。さらに、投資しない場合、最大100%の関税を課す可能性があると警告しています。

こうしたホワイトハウスの政治的圧力を受け、SK海力士はすでにインディアナ州に約38.7億ドルを投資し、HBM(ハイバンド幅メモリ)の封止テスト工場を建設することを発表しています。この工場は2028年の操業開始を目指しています。

韓国業界では、米商務長官の直接的な圧力とSK海力士のナスダック上場が、米国による意図的な戦略的圧力の一環だと見ています。

一方で、韓国国内の半導体拡張計画も壁にぶつかっています。800兆ウォン規模の拡張計画は、住民による新規原子力発電所やダムなどのインフラ建設への強い反対により、進展が難しくなっています。このため、韓国企業にとって米国への投資は、もはや選択肢ではなく、必然的な選択となっています。

FACT BOX ・ 要点整理

  • 出典:PR Times
  • 分類:ニュース
  • 関連組織:インテル / サムスン電子
  • 製品・サービス:HBM(ハイバンド幅メモリ) / 半導体封測サービス