AI記憶體需要が旺盛で DRAM ETFが過去5日間で8％以上上昇、4月設立以来110％以上急騰

グローバルな記憶体サプライチェーンに焦点を当てるRoundhill Memory ETF（DRAM-US）は、最近、強含みの展開を続けている。過去5営業日間で8％以上上昇しており、これはAIサーバー需要の継続的な高まりや、マイクロン（MU-US）、SKハイニクスなどの主要保有銘柄の株価上昇が背景にある。市場全体では、AI関連の記憶体需要の長期的な成長トレンドが引き続き評価されている一方で、株価の急速な上昇後の短期的な変動リスクが徐々に高まっていることも指摘されている。

DRAM ETFは、DRAM、高帯域メモリ（HBM）、NAND Flash、SSDなどの記憶体産業チェーンの企業に特化して投資しており、半導体全般をカバーするETFとは異なり、グローバルな記憶体市場に集中したポートフォリオを構築している。

今年4月の設立以来、DRAM ETFの累計上昇率は110％を超え、AIインフラ投資のブームの中で最も目立つテーマ型ETFの一つとなっている。

このETFの運用費は0.65％で、現在16銘柄のみを保有しており、資産規模は約230億3000万米ドル。高度に集中した投資戦略により、投資家はグローバルなメモリチップ産業の成長機会に直接参加できるようになっている。

保有銘柄の主な構成企業には、マイクロン（MU-US）、SKハイニクス、SanDisk（SNDK-US）、サムスン電子、シーゲート・テクノロジー（STX-US）、ウェスタンデジタル（WDC-US）など、グローバルな主要記憶体・ストレージ機器メーカーが含まれている。

最近のETFの値動きは、マイクロンとSKハイニクスの株価が持続的に反発していることが主な要因となっている。市場では、AI大規模言語モデルの急速な発展や、グローバルなテック企業によるAIデータセンターの建設が続く中、高帯域メモリ（HBM）やDRAMの需要が引き続き高い成長を維持すると予想されており、これにより記憶体産業全体の景気は着実に改善している。

アナリストらは、メモリチップがAIサーバーに不可欠な重要な部品となっていると指摘。今後、主要テック企業がAIインフラ投資をさらに拡大する中で、関連需要がDRAM ETFの長期的なパフォーマンスを支えると見ている。

ただし、市場は、最近の半導体・記憶体関連株の上昇幅が相当大きくなっており、一部の個別銘柄では評価額が明確に高まっていることから、短期的な調整リスクに注意を喚起している。

今後のAI関連の資本支出が鈍化したり、全体の株式市場におけるリスク選好が低下したりした場合、記憶体関連株やDRAM ETFはより大きな変動を示す可能性があると分析されている。しかし、AIサーバー、高帯域メモリ、データセンターの拡張という長期的なトレンドが変わらない限り、市場全体では記憶体産業の中長期的な成長見通しは引き続き前向きであるとされている。