台積電ADRが7％以上上昇　新先進封裝技術「EMIB類似型」を開発中との報道

『The Information』の報道によると、台積電 (TSM-US)(2330-TW) は、英特爾 (INTC-US) が新規ファウンドリ顧客獲得に活用している封裝技術に類似した、新たな先進チップ封裝技術の開発を進めている。

台積電は現在、CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技術を用いて高階AIチップを封裝している。CoWoSは現時点で最も主流の先進封裝形式であり、輝達 (NVDA-US) やAMD(AMD-US) といったテック大手のAIチップに採用されている。

一方、英特爾はEMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge、埋め込み型マルチダイ相互接続ブリッジ）と呼ばれる別の技術を開発している。

報道によれば、先進半導體製造における封裝工程が生産能力のボトルネックとなりつつあるなか、英特爾はEMIB技術を、台積電のCoWoSに対する代替案として位置づけている。この手法により、半導體メーカーはより大型で構造が複雑かつ多数の部品を統合したチップを設計しやすくなる。実際に、輝達は次期プロセッサへのEMIB技術の採用を検討しているとされる。

英特爾は、「半導體の先進封裝プロセスの一部として、特殊用途チップを同一パッケージ内で接続するための微小なシリコンブリッジ『EMIB』技術がある」と説明している。

「これにより異なるチップがまるで単一のデバイスのように動作し、AIに必要な膨大な演算能力を効率的に提供できる。同時に、製造コストの削減にもつながる。」

さらに英特爾は、「他のファウンドリでは高価なシリコンインタポーザーをチップ間接続に使用するが、当社は必要な箇所に微小で高速なシリコンブリッジを埋め込む方式を採用している」と強調する。

「これはデータのショートカットのようなもので、コストを大幅に削減できるだけでなく、複数の小チップからなる『シリコンモザイク』を、強力なAI演算コアへと変える。」

報道は、関係者によると、台積電が現在独自の「EMIB類似」封裝技術を開発中であり、台湾の企業・景碩科技 (3189-TW) と共同開発していると伝えている。

また、英特爾は先週、中国のテクノロジー企業・藍思科技と先進半導體封裝に関する協力協定を締結した。

この報道を受け、英特爾の株価は木曜日に11％急騰し、台積電のADRも7％以上上昇した。