HBMとSSDの間のストレージ空白を補完！SK海力士がSanDiskと共同でHBF初版標準を発表し、2027年上半期に試作提供へ

韓国のメモリ大手SK海力士は火曜日（4日）、米国のNAND大手サンディスク（SanDisk）と共同で、次世代メモリ技術「ハイバンド幅フラッシュ」（High Bandwidth Flash, HBF）の初版標準仕様を発表したと発表しました。これにより、AIおよび高性能計算向けにまったく新しいストレージ階層が正式に確立されました。

HBFはHBMとソリッドステートドライブ（SSD）の中間に位置付けられており、HBMレベルの高速データ転送能力とNANDアーキテクチャの大容量利点を兼ね備えています。これは、AIの学習および推論プロセスにおける「メモリウォール」問題を解決するための鍵となる技術の一つとされています。

今回の仕様発表は、昨年8月に協業を開始し、今年2月に正式にHBFアライアンスを設立して以来、約6か月ぶりの最初の成果です。

仕様書によると、HBFは2種類の物理構成を提供します。8層および16層のNANDチップを積層した構造で、最大容量は512GBに達します。

パフォーマンス面では、3つのグレード（Grade 1～Grade 3）で帯域幅を定義しており、データ転送速度は約0.4TB/sから3.0TB/sまでカバーされます。これにより、エッジAIから大規模データセンターまで、多様なニーズに対応可能です。

業界の分析によれば、AIモデルのパラメータ数が急増する中、既存のDRAMおよびHBMは容量とコストの面で限界に直面しています。HBFはNANDを用いて低コストかつ高密度のストレージを実現しながら、メモリに近いアクセス速度を保持することで、サーバーストレージアーキテクチャの再構築が期待されています。

SK海力士とサンディスクは、さらに多くのサプライチェーンパートナーがアライアンスに参加し、エコシステムの早期形成を促進することを呼びかけています。

市場は、HBF標準の確立が、SK海力士がAIストレージ分野における技術的主導権をさらに強化することになると見ています。また、サンディスクにとっては、企業向けNAND市場で新たな競争フィールドを開拓する機会となります。

仕様の確定に伴い、最初のHBF試作サンプルは2027年上半期に登場する予定で、2027年から主流のAIサーバーに段階的に導入される見込みです。