サムスンとSKハイニックス、中国NAND生産能力を増強！西安と大連で拡張加速

サムスン電子（005930KS）とSKハイニックス（000660KS）は、中国におけるNANDフラッシュメモリの生産能力拡大を同時に加速させている。両社の韓国メモリ大手は、来年前半までに新たな設備投資を完了させ、人工知能（AI）サーバーの需要増加に対応する高性能ストレージ市場の成長を狙うとしている。

ZDnetによると、サムスン電子は西安工場の第9世代NAND転換投資計画を具体化し、設備投資の追加計画を確定した。関連する設備の発注は今年末までに決定され、追加投資は来年後半に開始される予定だ。

第9世代NANDは280層の垂直積層構造を採用しており、現在最も先進的なNAND製品の一つとされている。この生産ラインは、月産4万～5万枚のウェハ生産能力を持つ見込みだ。

第9世代NANDの量産安定化を強化するため、サムスンは最近、追加投資計画をさらに具体化した。主にエッチングプロセス設備の増強が見込まれている。NANDは大量のメモリセルを垂直に積層する必要があるため、プロセスではウェハ上に極めて深いチャンネルホールをエッチングする必要があり、エッチング設備の精度と加工深度に対する要求は非常に高い。

業界関係者によると、サムスンは来年後半に関連する追加投資を実行する計画で、設備の発注は今年末までに確定される見込みだ。

AIサーバーなどの用途による高性能NAND需要の急速な成長を受け、サムスンは今年と来年に段階的に中国の先進NAND生産能力を拡大する方針だ。

同時に、SKハイニックスは第3四半期から大連の第2工場でNAND製品のアップグレードに必要な設備投資を進めており、現在計画されている生産規模は月産3万枚のウェハに相当する。関連投資は来年まで継続される予定だ。

大連工場の今回の投資は、SKハイニックスが中国におけるNAND生産能力の構築をさらに加速させることを示しており、サムスンの西安工場の拡張計画と相互に呼応する形となっている。

分析によると、両社の韓国メモリ大手が相次いで中国の生産ラインへの投資を拡大していることは、中国工場が高性能NAND製品の布局においてますます重要な役割を果たすようになっていることを示している。

AIインフラの整備加速に伴い、高性能NAND需要が急速に増加しており、今回の拡張計画の重要な推進力となっている。これにより、両社の高性能製品の供給能力がさらに向上する見込みだ。