HBM需求爆發！瑞銀：全球記憶體晶片6月銷售額746億美元創史高 供應缺口恐持續至2028年

瑞銀（UBS）近日發布《記憶體晶片月度報告》表示，全球記憶體晶片市場上月創史上最強單月表現，全球記憶體銷售額746億美元創歷史新高，月增31.7%。

瑞銀研判，隨著AI需求持續增長及長期供應協議（LTA）續增，記憶體週期「進一步趨強」，結構性供不應求至少延續至2028年中。

細分數據顯示，DRAM佔記憶體市場大宗，6月銷售額約480億美元，月增27.7%；NAND Flash表現更亮眼，月增40.7%至258億美元創高，主要因為AI訓練與推論工作負載激增，帶動資料中心SSD需求爆發。

瑞銀預估，今年記憶體產業總收入將達9920億美元，2027年近乎翻倍至1.76兆美元。

推升成長的核心動力來自HBM（高頻寬記憶體）。瑞銀預測，今年HBM需求將年增90%至約331億Gb，2027年再增77%至587億Gb。

瑞銀也已上修合約價估值：DDR記憶體合約價今年第三季季增率32%、第四季再漲18%；NAND價格第三季漲30%、第四季漲12%。DRAM產業在2028年第二季前都將維持結構性短缺，2027年需求年增36.2%，遠超供給的19.3%年增率。

瑞銀點名漲價週期主要受惠者為美光、三星電子與SK海力士，三者合計主導全球DRAM與NAND供給。

但這家投行也提醒，超大規模雲端服務商的AI資本支出可持續性與客戶價格承受力，是此輪前所未見上行週期的主要下行風險，「需求端而非供給端，才是無法完全建模的變數」。