AI記憶體需求旺盛 DRAM ETF近5日漲逾8% 4月成立以來飆逾110%

聚焦全球記憶體產業鏈的Roundhill Memory ETF（DRAM-US）近期延續強勢表現，過去5個交易日上漲逾8%，主要受惠於AI伺服器需求持續升溫，以及美光（MU-US）、SK海力士等主要持股股價走強。市場普遍看好AI記憶體需求長期成長趨勢，但也提醒，在股價快速上漲後，短線波動風險正逐漸增加。

DRAM ETF專注投資於DRAM、高頻寬記憶體（HBM）、NAND Flash及SSD等記憶體產業鏈企業，而非涵蓋整體半導體產業，因此投資組合更集中於全球記憶體市場。

自今年4月成立以來，DRAM ETF累計漲幅已超過110%，成為AI基礎建設熱潮下表現最亮眼的主題型ETF之一。

該ETF管理費率為0.65%，目前僅持有16檔股票，資產規模約230.3億美元，採高度集中投資策略，使投資人能直接參與全球記憶體晶片產業的成長機會。

持股方面，主要成分股包括美光（MU-US）、SK海力士、SanDisk（SNDK-US）、三星電子、希捷科技（STX-US）及威騰電子（WDC-US）等全球主要記憶體及儲存設備業者。

近期ETF走勢主要受惠於美光與SK海力士股價持續反彈。市場認為，隨著AI大型語言模型快速發展，以及全球科技業者持續興建AI資料中心，高頻寬記憶體（HBM）與DRAM需求仍將維持高成長，帶動整體記憶體產業景氣持續改善。

分析人士指出，記憶體晶片已成為AI伺服器不可或缺的重要元件，未來隨著各大科技公司持續增加AI基礎建設投資，相關需求可望持續支撐DRAM ETF長期表現。

不過，市場也提醒，近期半導體及記憶體類股漲幅已相當可觀，部分個股估值明顯提高，投資人仍須留意短線修正風險。

分析認為，若未來AI資本支出放緩，或整體股市風險偏好下降，記憶體類股及DRAM ETF可能出現較大波動。不過，在AI伺服器、高頻寬記憶體及資料中心持續擴建的長期趨勢未變下，市場普遍仍看好記憶體產業中長期成長前景。