中國晶片技術突破引爆賣壓，美光月挫30%，逼近11年最大單月跌幅

中國半導體自主化進程再度牽動全球科技股走勢。隨著中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）成功上市，加上中國深紫外光（DUV）微影設備技術傳出突破，市場擔憂未來中國本土晶片與記憶體供應將快速增加，衝擊全球產業競爭格局，美、韓、日記憶體及AI供應鏈個股於週二（28日）全面重挫。

美光科技（MU-US）週二開盤後一度大跌9.6%，7月以來累計跌幅擴大至29.5%，創下自2015年6月單月重挫32.6%以來最差單月表現。

今年才自威騰電子（WDC-US）分拆上市的SanDisk（SNDK-US）同樣遭遇沉重賣壓，週二盤中重挫12.4%，7月至今已累計下跌50.9%，創公司2025年2月重新掛牌以來最大單月跌幅。

儲存裝置類股同步走弱，威騰電子盤中跌幅超過12%，希捷科技（STX-US）跌幅也超過12%，戴爾科技（DELL-US）更一度下跌逾13%。

亞洲記憶體族群同樣遭到波及。SK海力士ADR（SKHY-US）大跌約9%，此前其韓國掛牌股票已重挫14%；三星電子在韓國股市下跌13%；日本記憶體大廠鎧俠控股（Kioxia Holdings）股價更暴跌18%，顯示市場憂慮快速蔓延至全球記憶體供應鏈。

D.A. Davidson董事總經理Gil Luria指出，全球記憶體族群估值具有高度連動性，因此韓國記憶體股大跌，也容易拖累美國相關企業同步回落。

市場賣壓主要來自中國半導體產業近期接連傳出的利多消息。

中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）週一於上海掛牌上市後首日表現強勁，激勵市場重新評估中國記憶體自主化能力。同時，《The Information》報導指出，中國在DUV微影設備技術取得重大進展，並已有國有半導體設備商開始量產DUV設備，預計供貨給中芯國際、華虹半導體及長鑫存儲等中國晶片製造商。

分析人士指出，目前荷蘭艾司摩爾（ASML-US）長期主導全球DUV及EUV微影設備市場，其中EUV設備全面禁止出口中國，而DUV設備也受到荷蘭出口許可制度限制。若中國成功建立本土DUV設備供應能力，將降低對海外設備商依賴，進一步推動半導體自主化。

受此消息影響，艾司摩爾美股週二盤中亦下跌約4.7%。

Coin Bureau創辦人兼跨資產分析師Nic Puckrin表示，投資人擔心中國低成本本土供應將大量進入市場，而過去數月AI題材已使相關股票估值偏高，市場因此出現恐慌性賣壓。

他指出，除了中國競爭因素外，輝達（NVDA-US）日前傳出計畫為OpenAI提供高達2,500億美元融資支持，用於AI資料中心建設，也引發市場對AI產業「循環融資（Circular Financing）」模式的疑慮，促使部分資金提前獲利了結。他認為，中國技術突破只是壓垮市場情緒的最後一根稻草。

不過，也有分析師認為市場反應可能過度。

PurePlay ETFs執行長Joseph DeYonker指出，中國DUV設備即使成功量產，短期主要仍有助於成熟製程及傳統DRAM自主供應，對目前AI伺服器所需的高頻寬記憶體（HBM）及高階資料中心記憶體市場影響有限，而美光近年主要受惠的正是AI資料中心高階記憶體需求。

他表示，目前美國記憶體股大跌，較像是市場對地緣政治與政策消息的情緒性反應，而非產業基本面出現重大惡化。

Jefferies分析師Janardan Menon也指出，目前中國本土DUV設備性能仍難與艾司摩爾同級產品相比，但美國持續推動更嚴格的半導體出口管制，反而促使中國晶片製造商加速採用國產設備。

他表示，美國近期提出《MATCH法案》（Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act），希望與盟友共同收緊半導體製造設備出口限制。原本中芯國際及長鑫存儲仍可透過荷蘭出口許可採購艾司摩爾NXT:1980i DUV設備，但若未來限制進一步升級，中國業者可能更積極導入本土替代方案，加速半導體供應鏈自主化。

分析人士認為，短期內中國DUV技術仍難挑戰艾司摩爾在高階設備市場的領導地位，也無法立即撼動AI高階記憶體市場。不過，中國半導體自主化持續推進，已成為全球記憶體與設備產業估值重新調整的重要變數，未來技術進展與各國出口管制政策，將持續左右全球半導體族群表現。