HBM4成勝負關鍵 瑞銀：三星明年市占將超越SK海力士

瑞銀最新預測，三星電子明年將超越SK海力士（SKHY-US），躍居高頻寬記憶體（HBM）市場龍頭。隨著產業最大客戶輝達（NVDA-US）增加採用三星第六代HBM（HBM4），以及新興重要客戶AMD（AMD-US）將三星列為主要供應商，並計劃在旗下Helios AI平台整合三星HBM4產品，三星已進一步鞏固其市場地位。

根據瑞銀於7月30日發布的最新報告，預估三星電子將自HBM4世代起，在HBM位元（bit）出貨量正式追平並超越SK海力士。

瑞銀分析師尼古拉斯、戈杜瓦（Nicolas Gaudois）在報告中預測，三星明年HBM位元出貨量市占率將達41%，躍居全球第一；SK海力士今年市占率為48%居冠，但明年將降至39%，退居第二；美光（MU-US）則可望以20%市占率維持第三。

值得注意的是，瑞銀今年5月發布的前一份報告原本預估，三星要到2027年才會追上SK海力士，但最新報告已將這項市場格局逆轉的時間提前至2027年前。

一位熟悉三星業務的產業人士表示：「三星在HBM4認證與良率提升方面進展最快。」

他補充表示：「考量超大規模雲端業者的認證速度，以及供貨量持續提升，實際市場發展很可能與瑞銀的預測高度一致。」

事實上，雖然輝達過去對三星HBM3E採購態度相對保守，但如今已展現採用HBM4的強烈意願。

另一方面，AMD也已將三星列為主要供應商，並計畫在下一代AI平台Helios優先採用三星HBM4。

這代表隨著HBM4世代來臨，SK海力士迄今建立的市場領先優勢，正面臨愈來愈大的挑戰。

為了因應競爭，SK海力士正持續擴大資本支出。

瑞銀指出，SK海力士管理層於第二季法說會中，已將今年資本支出指引上調至40多兆韓元的高檔區間。

不過，分析師指出，若僅依賴京畿道利川與忠清北道清州等既有生產基地，SK海力士擴產速度恐仍落後三星。相較之下，三星已在平澤（Pyeongtaek）預留大量尚未開發的土地，可望提供更大的擴產空間。

此外，SK海力士表示，其長期供貨協議（LTA）續約進度優於預期。

截至目前，公司已完成10份LTA簽約，包括與美國主要超大規模資料中心營運商（Hyperscaler）及OEM（原始設備製造商）簽訂供貨合約。

瑞銀認為，雖然LTA可能限制短期售價調漲空間，但長期而言，有助於提升公司獲利能力及股東報酬。

瑞銀也指出，SK海力士在HBM4轉換進度落後三星的跡象，也反映在營運表現上。

根據瑞銀統計，SK海力士第二季DRAM平均售價（ASP）季增僅30%，主要原因在於HBM4直到季度後段才開始大量出貨。

相較之下，三星優先提升HBM4產能，擴大對輝達與AMD的供貨，因此更早享受到HBM4高單價帶來的效益。

反觀SK海力士，由於HBM4轉換速度較慢，在享受高ASP紅利方面也相對落後。