傳統DRAM與NAND快閃記憶體價格於7月雙雙創下新高。由於人工智慧(AI)伺服器與高頻寬記憶體(HBM)持續吸收DRAM產能,以及記憶體業者將NAND資源轉向企業級固態硬碟(SSD)、高層數3D NAND與先進製程,使得用於PC、消費性電子產品及工業設備的傳統記憶體供應日益緊張,漲價週期尚未結束。

根據韓聯社引述TrendForce旗下DRAMeXchange的數據,PC用指標性產品DDR4 8Gb DRAM在7月的平均固定合約價上漲至24美元,較6月上漲14.3%,創下該機構自2016年6月開始統計以來的最高紀錄。

NAND快閃記憶體價格也持續攀升。其中,128Gb MLC NAND在7月的平均價格升至30.05美元,首次突破30美元大關,刷新歷史紀錄。

今年以來,DDR4價格持續加速上漲。DDR4 8Gb的平均合約價由1月的11.5美元一路升至7月的24美元,累計漲幅約109%,相當於半年多內翻倍。價格在4月至5月間由16美元迅速升至20美元,進入第三季後進一步刷新高點。

NAND的漲勢更為猛烈,128Gb MLC NAND的平均價格由1月的9.46美元升至7月的30.05美元,年初至今累計上漲約218%,目前價格已達年初的三倍以上。

不同類型NAND產品的漲幅也出現明顯分化。

單層式儲存(SLC)NAND的供應尤其吃緊,部分產品在7月的平均售價較前月大漲35%51%;多層式儲存(MLC)NAND的漲幅則約為4%8%

SLC NAND主要應用於汽車電子、網路設備及工業控制等重視穩定性與耐用度的領域。隨著記憶體供應商優先將產能投入高層數3D NAND及先進製程,加上市場庫存偏低,SLC NAND的供需情況更加緊張,價格漲幅明顯高於MLC產品。

本輪傳統記憶體的漲價,主要源自供應端的產能重新配置。

隨著AI伺服器需求快速成長,DRAM供應商持續將資源轉向HBM及伺服器DRAM等利潤較高的產品,留給PC與消費性電子使用的傳統DRAM產能隨之減少。

TrendForce預估,AI伺服器與HBM未來仍將大量吸收DRAM產能,PC DRAM供應可望進一步收緊。儘管筆電價格上漲已開始抑制終端需求,但在供給有限的情況下,記憶體供應商在價格談判中仍掌握較大優勢,DRAM供應緊張可能延續至2027年

NAND市場也面臨類似的產能排擠效應。供應商將更多資源投入企業級SSD、高層數3D NAND與先進製程,導致傳統NAND產品供應維持緊張。不過,TrendForce預期,隨著供應商逐步增加產出,NAND供應可望於2027年下半年開始改善。

值得注意的是,記憶體價格持續上漲超過一年後,下游客戶的採購成本已明顯提高,買方態度也開始轉趨謹慎。這意味著供應緊張仍可支撐短期價格,但後續漲勢能否延續,也將取決於終端市場承受成本上升的能力。

FACT BOX · 重點整理

  • 來源:PR Times
  • 分類:新聞
  • 相關組織:TrendForce / DRAMeXchange / 韓聯社
  • 原文日期:7月 / 6月
  • 產品、服務:DDR4 DRAM / SLC NAND