補HBM與SSD間儲存空白！SK海力士攜手閃迪發布HBF首版標準 首批樣品2027年H1問世

南韓記憶體巨頭SK海力士於週二（4日）宣布，與美國NAND大廠閃迪（SanDisk）聯合發布下一代記憶體技術「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash, HBF）首套標準規範，正式為AI與高效能運算建立全新的儲存層級。

HBF定位於HBM與固態硬碟（SSD）之間，兼具HBM等級的高速傳輸能力與NAND架構的大容量優勢，被視為解決AI訓練與推理過程中「記憶體牆」問題的關鍵技術之一。

此次規範發布是雙方自去年8月啟動合作、今年2月正式成立HBF聯盟後，歷時約6個月推出的首項成果。

根據規範，HBF將提供兩種物理配置：採用8層與16層NAND晶片堆疊，最高容量可達512GB。

效能方面，標準以三個等級（Grade 1至Grade 3）定義頻寬，資料傳輸速率覆蓋約0.4TB/s至3.0TB/s，足以滿足從邊緣AI到大型資料中心的多元需求。

業界分析指出，隨著AI模型參數量激增，現有DRAM與HBM在容量與成本上面臨瓶頸，HBF透過NAND實現低成本、高密度儲存，同時保有接近記憶體的存取速度，有望重塑伺服器儲存架構。

SK海力士與閃迪亦呼籲更多供應鏈夥伴加入聯盟，加速生態系成形。

市場認為，HBF標準落地將進一步鞏固SK海力士在AI儲存領域的技術話語權，並為閃迪在企業級NAND市場開拓新戰場。

隨著規範底定，首批HBF樣品預計於2027年上半年問世，2027年起逐步導入主流AI伺服器。