三星FMS亮劍：公布全新3D記憶體路線圖 zHBM性能喊話達HBM5八倍 力爭在AI技術領域領跑

三星電子在美國聖克拉拉舉行的FMS峰會上一口氣發布zHBM、zNAND-O兩款概念產品，以及業界首款堆疊超400層的V10 BV-NAND，正面迎戰SK海力士與美光，試圖在AI時代重奪記憶體話語權。

zHBM最受矚目，徹底顛覆現行2.5D封裝架構，不再將HBM與AI晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。

三星在FMS峰會上宣稱，藉由晶圓鍵合技術大幅縮短數據路徑，zHBM性能可達下一代HBM5的8倍，記憶體密度超10倍，能效提升3倍，熱阻降低逾50%，並支援客製化IP嵌入，預計2029年量產。

與此同時，三星透露今年2月已率先以1c DRAM製程與4奈米基底裸片量產HBM4，5月向客戶交付HBM4E樣品。

針對邊緣AI場景，三星推出zNAND-O，定位與SK海力士、閃迪聯合發布的HBF形成差異。HBF主攻伺服器端填補HBM與SSD間的分層空缺，zNAND-O則鎖定端側大模型存儲，透過TSV與UCIe接口，實現高空間效率、低延遲與高I/O性能，預計2028年量產。

至於V10 BV-NAND，距2013年首發V-NAND已過13年，三星首次導入晶圓鍵合架構，堆疊層數突破400層，存儲密度較V9提升58%，讀寫與I/O性能全面優化，為AI系統提供高密度NAND支撐。

三星還展示全棧布局：LPDDR5X-PIM為業界首款內建存算一體的LPDDR記憶體；企業級PM1763、BM1773則瞄準AI資料中心記憶體需求。

作為全球唯一同時掌握記憶體、晶圓代工與先進封裝的IDM，三星意圖以一站式方案縮短客戶開發週期，在AI基礎設施賽道拉開與對手的身位差距，市場將關注這些「願景型」技術能否如期落地，並轉化為實質市場份額。