大摩預警成熟DRAM續漲：第三季DDR4再漲50% SLC NAND連兩季季漲50%

摩根士丹利（下稱大摩）週三（19日）發布最新報告示警，DDR4與SLC NAND等成熟記憶體晶片供給緊張將延續至2026年下半年，價格漲勢不僅未歇，反而持續加速。

大摩預估，今年第三季DDR4等成熟DRAM將季增約50%，第四季再漲10%；SLC NAND漲勢更為強勁，第三、四季每季皆看漲50%。至於NOR Flash，則從第四季起受惠於工控、車用、邊緣AI與AI伺服器等需求支撐。

漲價根源在於產能「挪移」：三星、SK海力士、美光等大廠正大幅將晶圓產能轉向高毛利的HBM、DDR5與企業級SSD，導致傳統DDR4、SLC NAND的產出份額遭到壓縮。

HBM堪稱「產能黑洞」，主要受限於垂直堆疊與矽穿孔（TSV）技術，每生產1單位HBM約需消耗3單位傳統DRAM晶圓。根據瑞銀（UBS）估算，2027年全球HBM需求將達615億Gb，其中輝達單一家就佔251億Gb，超過總需求40%，迫使原廠只能持續傾斜產線配置。

此外，連新世代DDR5也持續升溫。根據美銀數據顯示，24GB DDR5-5600/6400現貨價在8月單月再漲8%，年漲幅飆升至483%；該顆粒價格自2025年中約8美元，一路衝高至本月逼近47美元。

業內人士認為，這波短缺並非景氣循環式缺貨，而是AI算力需求重寫記憶體分配邏輯所致。高價HBM吸走大量產能，使利基型成熟件反成稀缺標的，工業、網通、存量伺服器業者首當其衝。短期內難以緩解，供需再平衡須待原廠回頭補成熟線，或終端用戶轉向新規格，然而今年底前恐難見反轉拐點。