三星預估明年HBM占DRAM晶圓產能比重將達到多少？

三星預估明年高頻寬記憶體（HBM）占DRAM晶圓產能比重將由目前約20%升至近30%。

南亞科總經理李培瑛對今年下半年DRAM售價有何預期？

南亞科總經理李培瑛表示，缺貨預計還將持續數季，今年下半年DRAM售價仍有上漲空間。

華邦電已啟動高雄廠模組B擴建計畫，預計明年1月動工、2029年底量產。

美光表示客戶在長期供應協議下的財務承諾已由6月公布的220億美元增至320億美元，其中多數為現金訂金。

美光總裁暨營運長Manish Bhatia指出，相較於邏輯晶片或資料中心電力，記憶體是AI領域的主要瓶頸。

發布 2026年10月1日 14:41 ・ 最後更新 2026年10月1日 15:07 ・閱讀約 2 分鐘・來源：PR Times

三星與美光警示AI帶動之HBM需求導致記憶體供應緊張，HBM產能占比上升排擠傳統DRAM。台廠南亞科與華邦電預期缺貨延續且供需更緊迫，積極擴產並爭取長約以穩定出貨。

AI需求持續攀升，三星電子( 005930KS ) 與美光科技( MU-US ) 相繼對記憶體供應示警。三星預估，明年高頻寬記憶體（HBM）占DRAM晶圓產能比重將逼近三成，進一步壓縮傳統DRAM供應；美光則指出，訂單遠超產能，2027、2028財年記憶體與儲存供需將比2026財年更加吃緊。

三星執行副總裁Kim Taewoo表示，HBM與傳統DRAM共用同一批晶圓產能，隨著HBM產量增加，傳統產品的供應空間勢必受到壓縮。明年HBM占DRAM廠商晶圓總產能比重，預計將由目前約20%升至近30%。

三星、SK海力士( 000660KS ) 與美光均積極擴大HBM產能，三星已於今年2月量產HBM4，並持續擴產。隨著資源向AI傾斜，DDR4、DDR3及利基型記憶體等傳統DRAM產能受到排擠，供應恐進一步吃緊。

美光執行長Sanjay Mehrotra表示，客戶在長期供應協議下的財務承諾，已由6月公布的220億美元增至320億美元，其中多數為現金訂金。公司也已透過協議鎖定2027年大部分HBM產能，並將提高2027財年資本支出。

美光總裁暨營運長Manish Bhatia指出，相較於邏輯晶片或資料中心電力，記憶體是AI領域的主要瓶頸，資料中心也已成為記憶體與儲存產品的最大市場。

美光訂單遠超產能，正擴大全球幾乎所有據點的產能，包括在日本與美國建立新基地。然而，擴產速度仍有侷限。公司預計首批矽晶圓於2027年中產出，但工廠還需數季爬坡，才能對市場供應產生實質影響。

台廠看好缺貨延續

供應吃緊也支撐台系DRAM廠商的市場展望。南亞科( 2408-TW ) 總經理李培瑛表示，AI記憶體需求爆發式成長，正排擠PC、手機、車用及消費性電子產品的晶片供給，缺貨預計還將持續數季，今年下半年DRAM售價仍有上漲空間。

南亞科目前產能已滿載，長約涵蓋約五成產能，後續將持續推動短約轉為長約。新廠第一階段規劃於2028年達到月產能3萬片，新產能開出前，仍須仰賴現有產線供貨。

華邦電( 2344-TW ) 總經理陳沛銘則預期，2027年市場供需將比今年更緊。公司已啟動高雄廠模組B擴建計畫，預計明年1月動工、2029年底量產，擴產效益仍需時間才能顯現。

客戶搶簽長約鎖定貨源

機構分析指出，客戶正加緊鎖定中長期貨源，採購考量已由價格延伸至交期與供貨保障。AI應用持續擴張，傳統產品供給能否跟上需求，取決於原廠資源配置與新產能開出的速度，短期供給缺口難以迅速填補。

對南亞科、華邦電等台廠而言，商機除了報價上漲，也包括客戶尋求替代供應商的轉單需求。若能穩定出貨、配合產品驗證並提供長期供貨保障，將有機會提高客戶採購占比，把短期轉單轉為長期合作。