AI下一波黑馬是聯電？矽光子正式量產、2大成長引擎啟動，一文看懂還能不能上車！

AI基礎建設正從先進運算晶片向高速互連、電源管理及特殊製程擴散。聯電強化矽光子與特殊製程布局；全球市場則受惠於資料中心電源管理晶片需求持續攀升。

作者／呂泰德

最新預估顯示，2026年全球AI伺服器出貨量年增率已由原先約28%上修至接近31%，主要動能來自大型雲端服務業者擴大資本支出與機櫃級AI系統需求升溫。隨著GPU與AI加速器功耗持續提高，AI機櫃功率密度正快速攀升，以Nvidia GB200 NVL72為例，整櫃功耗約120kW，相關基礎設施設計已支援約132kW，而下一代平台更朝500kW乃至1MW級機櫃演進。

當功率密度跨入數百kW甚至MW級後，既有資料中心從交流供配電、UPS與電源供應器，到機櫃內48V或54V直流母線，再一路降壓至GPU核心低電壓的供電鏈，都面臨轉換效率、銅導體用量、空間占用、散熱與瞬時負載管理的新挑戰，因此800V高壓直流供電正逐步成為下一代超高功率AI資料中心的重要技術方向。

AI需求催生成熟製程新一波成長動能

當AI伺服器與機櫃功率密度提高，從電源轉換、穩壓到負載端供電，PMIC、MOSFET等功率元件的重要性同步提升，而支撐這些晶片的BCD、高壓類比等特殊製程的廠商須具備工作電壓、轉換效率、可靠度、整合能力、成本及長期供貨能力。

其中聯電的BCD製程橫跨200mm與300mm晶圓，製程節點涵蓋0.5微米至55奈米，可支援最高200V工作電壓，並整合類比、數位與功率元件，應用於DC-DC轉換、電池管理與馬達驅動等領域。

聯電2026年第二季合併營收687.3億元，季增12.6%、年增17%，毛利率由第一季29.2%提高至32.5%；晶圓出貨量季增10.6%，帶動產能利用率由79%升至85%。其中22／28奈米占晶圓營收比重由第一季34%提高至37%，22奈米單一製程營收占比更達17.5%，持續創高。

對成熟製程晶圓代工而言，產能利用率一直是決定獲利的重要變數。晶圓廠具有高度資本密集特性，廠房、設備折舊、廠務系統，以及相當部分的工程與間接人力支出，都屬固定或半固定成本，因此當產能利用率由7、8成逐步提高至9成附近時，新增晶圓出貨可以分攤既有固定成本，單位製造成本下降。

目前，全球前十大晶圓代工廠8吋產能利用率已由2025年約80%回升至2026年約88%，下半年預估進一步接近90%，而晶圓廠也持續將有限產能由部分顯示驅動、CIS等相對低毛利應用轉向PMIC、BCD與功率元件。

聯電雙軌擴產　矽光子布局跨入量產

當傳輸速率持續提高、距離逐步拉長，傳統電氣互連面臨的訊號完整性、功耗與散熱壓力會愈來愈明顯，因此AI資料中心的高速互連正加快由銅線向光纖延伸。在這一背景下，矽光子成為下一代AI高速互連的重要半導體技術之一，其核心概念是利用CMOS相容的半導體製造能力，把原本分散的光學功能整合到晶圓上的光子積體電路，也就是PIC，藉此提高光互連的頻寬密度、能源效率與量產能力。

聯電已經由技術布局跨入客戶產品量產。2026年7月，聯電與新加坡矽光子IC設計公司Silith宣布完成首批量產光子積體電路晶圓交付，產品由聯電新加坡12吋晶圓廠製造，支援Silith的1.6T矽光子平台，主要瞄準AI及超大規模資料中心高速光互連需求。

雙方結合Silith的矽光子架構與聯電的SOI晶圓製造及製程整合能力，約18個月便將平台由開發階段推進至量產就緒，且已達到量產等級的良率與可靠度，並取得大型雲端基礎設施客戶認證。

此外，2025年底聯電已取得imec的iSiPP300矽光子製程技術授權，準備建立自有12吋矽光子平台，並規劃自2027年起開放客戶進行產品開發。聯電同時表示，未來將結合矽光子與先進封裝技術，支援CPO與Optical I/O等更高整合度的光互連架構。

文章授權自《先探投資週刊2417期》