2026年7月6日

Patentix株式會社(總公司:滋賀縣草津市，代表取締役社長:衣斐豐祐，以下稱「Patentix」)將於2026年7月15日(三)至17日(五)為期三天，在東京國際展示場舉辦的「Techno Frontier 2026 功率電子技術展」中參展。本次展覽將匯集從功率元件、電子零件、模組到應用設備，以及設計與製造相關的技術。Patentix將展示與下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO2)相關的開發狀況，並展出全球首款6吋GeO2 on Si基板的樣品。

主要數據 — KEY FIGURES

800V
DC800V

近年來，隨著生成式AI的快速普及，資料中心面臨著龐大的電力消耗以及由此產生的巨大熱量散熱這兩個相互矛盾的問題。為了降低電力轉換損耗,DC800V的高電壓化(供應至伺服器機架的電源電壓)開發正在進行中，這也對用於電源電路的功率半導體提出了高耐壓化和進一步高效率化的要求。在此背景下，雖然資料中心也正在普及SiC元件、GaN元件等寬能隙半導體，但對下一種新型半導體材料的期待也日益增高。

在Techno Frontier展中，我們將以「下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺的社會實踐」為主題，廣泛展示該材料的潛力和優勢。特別是,6吋GeO2 on Si基板的展示將是「全球首創」,我們衷心希望各位能前來參觀我們的開發狀況。此外，我們也預計將展示將GeO2晶片封裝在TO247封裝中的元件樣品(由CIMATEC電子公司提供)。我們也將介紹未來的開發計畫。

我們衷心期待各位蒞臨我們的攤位。我們的攤位號碼是1P29。

圖:(左)全球首款6吋GeO2 on Si基板樣品、(右)封裝在TO247封裝中的GeO2元件樣品

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Patentix株式會社 公關負責人:樋口 典子

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FACT BOX · 重點整理

  • 來源：PR TIMES
  • 分類：展示会
  • 相關組織：Patentix株式会社